IGBT模塊
當前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > IGBT模塊
發(fā)射極電壓UE大于峰值電壓UP是雙基極二極管導通的必要條件。UP不是一個常數(shù)，而是取決于分壓比η和UBB的大小，即UP=ηUBB+0.7V。由于UP和UBB呈線性關系，所以可以得到穩(wěn)定的觸發(fā)電壓，又因峰點的電流很小，所以需要的觸發(fā)電流也很小。谷點電壓Uv是維持單結(jié)晶體管處于導通狀態(tài)的最小電壓。不同的雙基極二極管的谷點電壓也不同，一般為2~5V。當UE=Uv時，雙基極二極管進入截止狀態(tài)。由于雙基極二極管是一個負阻器件，每一個電流值都會對應一個確定的電壓值，但每一個電壓值則可能有不同的電流值。根據(jù)這一點，可在維持電壓不變的情況下，使電流產(chǎn)生躍變，就可以獲得較大的脈沖電流。
只有一個PN結(jié)作為發(fā)射極而有兩個基極的三端半導體器件，早期稱為雙基極二極管。其典型結(jié)構(gòu)是以一個均勻輕摻雜高電阻率的N型單晶半導體作為基區(qū),兩端做成歐姆接觸的兩個基極，在基區(qū)中心或者偏向其中一個極的位置上用淺擴散法重摻雜制成 PN結(jié)作為發(fā)射極(圖中)。當基極B1和B2之間加上電壓時(圖中b)，電流從B2流向B1,并在結(jié)處基區(qū)對B1的電勢形成反偏狀態(tài)。如果將一個信號加在發(fā)射極上，且此信號超過原反偏電勢時，器件呈導電狀態(tài)。一旦正偏狀態(tài)出現(xiàn)，便有大量空穴注入基區(qū)，使發(fā)射極和B1之間的電阻減小，電流增大，電勢降低，并保持導通狀態(tài)，改變兩個基極間的偏置或改變發(fā)射極信號才能使器件恢復原始狀態(tài)。因此，這種器件顯示出典型的負阻特性(見圖c),特別適用于開關系統(tǒng)中的弛張振蕩器，可用于定時電路、控制電路和讀出電路。
單結(jié)晶體管的等效電路如上圖所示，發(fā)射極所接P區(qū)與N型硅棒形成的PN結(jié)等效為二極管D;N型硅棒因摻雜濃度很低而呈現(xiàn)高電阻，二極管陰極與基極B2之間的等效電阻為rB2，二極管陰極與基極B1之間的等效電阻為rB1;rB1的阻值受E-B1間電壓的控制，所以等效為可變電阻。判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是:把萬用表置于R*100擋或R*1K擋，黑表筆接假設的發(fā)射極，紅表筆接另外兩極，當出現(xiàn)兩次低電阻時，黑表筆接的就是單結(jié)晶體管的發(fā)射極。單結(jié)晶體管B1和B2的判斷方法是:把萬用表置于R*100擋或R*1K擋，用黑表筆接發(fā)射極，紅表筆分別接另外兩極，兩次測量中，電阻大的一次，紅表筆接的就是B1極。
雙基極二極管性能的好壞可以通過測量其各極間的電阻值是否正常來判斷。用萬用表R×1k檔，將黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆依次接兩個基極(B1和B2)，正常時均應有幾千歐至十幾千歐的電阻值。再將紅表筆接發(fā)射極E，黑表筆依次接兩個基極，正常時阻值為無窮大。雙基極二極管兩個基極(B1和B2)之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ范圍內(nèi)，若測得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時，則說明該二極管已損壞。單結(jié)晶體管具有大的脈沖電流能力而且電路簡單，因此在各種開關應用中，在構(gòu)成定時電路或觸發(fā)SCR等方面獲得了廣泛應用。它的開關特性具有很高的溫度穩(wěn)定性，基本上不隨溫度而變化。
單結(jié)晶體管組成的振蕩電路。所謂振蕩，是指在沒有輸入信號的情況下，電路輸出一定頻率、一定幅值的電壓或電流信號。當合閘通電時，電容C上的電壓為零，管予截止，電源VBB通過電阻R對C充電，隨時間增長電容上電壓uC逐漸增大;一旦UEB1增大到峰點電壓UP后，管子進入負阻 區(qū)，輸入端等效電阻急劇減小，使C通過管子的輸入回路迅速放電，iE隨之迅速減小，當UEB1減小到谷點電壓Uv后，管子截止;電容又開始充電。上述過程 循環(huán)往返，只有當斷電時才會停止，因而產(chǎn)生振蕩。)基極間電阻Rbb 發(fā)射極開路時，基極b1、b2之間的電阻，一般為2--10千歐，其數(shù)值隨溫度上升而增大。
業(yè)務咨詢
1513253456