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IGBT模塊

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LD431650

在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態(tài)，不應偏離太大。常溫的規(guī)定為5~35℃ ，常濕的規(guī)定在45~75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機加濕;盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方;保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;
CM75TL-24NF

只有一個PN結作為發(fā)射極而有兩個基極的三端半導體器件，早期稱為雙基極二極管。其典型結構是以一個均勻輕摻雜高電阻率的N型單晶半導體作為基區(qū),兩端做成歐姆接觸的兩個基極，在基區(qū)中心或者偏向其中一個極的位置上用淺擴散法重摻雜制成 PN結作為發(fā)射極(圖中)。當基極B1和B2之間加上電壓時(圖中b)，電流從B2流向B1,并在結處基區(qū)對B1的電勢形成反偏狀態(tài)。如果將一個信號加在發(fā)射極上，且此信號超過原反偏電勢時，器件呈導電狀態(tài)。一旦正偏狀態(tài)出現(xiàn)，便有大量空穴注入基區(qū)，使發(fā)射極和B1之間的電阻減小，電流增大，電勢降低，并保持導通狀態(tài)，改變兩個基極間的偏置或改變發(fā)射極信號才能使器件恢復原始狀態(tài)。
CM100DY-24A

顯著增加，rb1阻值迅速減小，Ve相應下降，這種電壓隨電流增加反而下降的特性，稱為負阻特性。管子由截止區(qū)進入負阻區(qū)的臨界P稱為峰點，與其對應的發(fā)射極電壓和電流，分別稱為峰點電壓Vp和峰點電流Ip。Ip是正向漏電流，它是使單結晶體管導通所需的最小電流，顯然Vp=ηVbb隨著發(fā)射極電流ie不斷上升，Ve不斷下降，降到V點后，Ve不再降了，這點V稱為谷點，與其對應的發(fā)射極電壓和電流，稱為谷點電壓，Vv和谷點電流Iv。過了V點后，發(fā)射極與第一基極間半導體內的載流子達到了飽和狀態(tài)，所以uc繼續(xù)增加時，ie便緩慢地上升，顯然Vv是維持單結晶體管導通的最小發(fā)射極電壓，如果Ve<Vv，管子重新截止。
DD600N16K-A

判斷單結晶體管發(fā)射極E的方法是:把萬用表置于R*100擋或R*1K擋，黑表筆接假設的發(fā)射極，紅表筆接另外兩極，當出現(xiàn)兩次低電阻時，黑表筆接的就是單結晶體管的發(fā)射極。單結晶體管B1和B2的判斷方法是:把萬用表置于R*100擋或R*1K擋，用黑表筆接發(fā)射極，紅表筆分別接另外兩極，兩次測量中，電阻大的一次，紅表筆接的就是B1極。應當說明的是，上述判別B1、B2的方法，不一定對所有的單結晶體管都適用，有個別管子的E--B1間的正向電阻值較小。不過準確地判斷哪極是B1，哪極是B2在實際使用中并不特別重要。即使B1、B2用顛倒了，也不會使管子損壞，只影響輸出脈沖的幅度(單結晶體管多作脈沖發(fā)生器使用)，當發(fā)現(xiàn)輸出的脈沖幅度偏小時，只要將原來假定的B1、B2對調過來就可以了。
FS50R17KE3-B17

雙基極二極管性能的好壞可以通過測量其各極間的電阻值是否正常來判斷。用萬用表R×1k檔，將黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆依次接兩個基極(B1和B2)，正常時均應有幾千歐至十幾千歐的電阻值。再將紅表筆接發(fā)射極E，黑表筆依次接兩個基極，正常時阻值為無窮大。雙基極二極管兩個基極(B1和B2)之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ范圍內，若測得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時，則說明該二極管已損壞。單結晶體管具有大的脈沖電流能力而且電路簡單，因此在各種開關應用中，在構成定時電路或觸發(fā)SCR等方面獲得了廣泛應用。它的開關特性具有很高的溫度穩(wěn)定性，基本上不隨溫度而變化。