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IGBT模塊

  • DD240KB160
    單結(jié)晶體管組成的振蕩電路。所謂振蕩,是指在沒有輸入信號的情況下,電路輸出一定頻率、一定幅值的電壓或電流信號。當(dāng)合閘通電時(shí),電容C上的電壓為零,管予截止,電源VBB通過電阻R對C充電,隨時(shí)間增長電容上電壓uC逐漸增大;一旦UEB1增大到峰點(diǎn)電壓UP后,管子進(jìn)入負(fù)阻 區(qū),輸入端等效電阻急劇減小,使C通過管子的輸入回路迅速放電,iE隨之迅速減小,當(dāng)UEB1減小到谷點(diǎn)電壓Uv后,管子截止;電容又開始充電。上述過程 循環(huán)往返,只有當(dāng)斷電時(shí)才會(huì)停止,因而產(chǎn)生振蕩。
  • AT847
    在第二基極B2上串聯(lián)1個(gè)限流電阻R2,限制單結(jié)管的峰值功率電路中的CT或VP(峰值電壓)較大時(shí),CT上應(yīng)串聯(lián)一個(gè)保護(hù)電阻,以保護(hù)發(fā)射極B1不受到電損傷。例如:電容CT大于10μF或 VP大于30V時(shí)就應(yīng)適當(dāng)串電阻,這個(gè)附加電阻的阻值至少應(yīng)取每微法CT串1Ω電阻。否則,較大的電容器放電電流會(huì)逐漸損傷單結(jié)管的EB1結(jié),使振蕩器的 振蕩頻率或單穩(wěn)電路的定時(shí)寬度隨著時(shí)間的增長而逐漸發(fā)生變化。在某些應(yīng)用中,用一只二極管與單結(jié)管的基極B2或發(fā)射極E相串聯(lián),這樣可改善溫度穩(wěn)定性及減小電源電壓變化的影響單結(jié)管和硅可控整流器的抗輻照特性很差,不宜在輻照環(huán)境中使用。
  • SKM300GBD12T4
    基極間電阻Rbb 發(fā)射極開路時(shí),基極b1、b2之間的電阻,一般為2--10千歐,其數(shù)值隨溫度上升而增大。分壓比η 由管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的常數(shù),一般為0.3--0.85。eb1間反向電壓Vcb1 b2開路,在額定反向電壓Vcb2下,基極b1與發(fā)射極e之間的反向耐壓。反向電流Ieo b1開路,在額定反向電壓Vcb2下,eb2間的反向電流。發(fā)射極飽和壓降Veo 在最大發(fā)射極額定電流時(shí),eb1間的壓降。峰點(diǎn)電流Ip 單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時(shí),發(fā)射極電壓為峰點(diǎn)電壓時(shí)的發(fā)射極電流。雙基極二極管性能的好壞可以通過測量其各極間的電阻值是否正常來判斷。用萬用表R×1k檔,將黑表筆接發(fā)射極E,紅表筆依次接兩個(gè)基極(B1和B2),正常時(shí)均應(yīng)有幾千歐至十幾千歐的電阻值。再將紅表筆接發(fā)射極E,黑表筆依次接兩個(gè)基極,正常時(shí)阻值為無窮大。
  • SKM400GAL125D
    雙基極二極管的制作過程:在一塊高電阻率的N型半導(dǎo)體基片的兩端各引出一個(gè)鋁電極,如圖4-9c所示,分別稱為第一基極B1和第二基極B2,然后在N型半導(dǎo)體基片一側(cè)埋入P型半導(dǎo)體,在兩種半導(dǎo)體的結(jié)合部位就形成了一個(gè)PN結(jié),再在P型半導(dǎo)體端引出一個(gè)電極,稱為發(fā)射極E。雙基極二極管的等效電路如圖4-9d所示。雙基極二極管B1、B2極之間為高電阻率的N型半導(dǎo)體,故兩極之間的電阻RBB較大(約4-12千歐),以PN結(jié)為中心,將N型半導(dǎo)體分為兩部分,PN結(jié)與B1極之間的電阻用RB1表示,PN結(jié)與B2極之間的電阻用RB2表示,RBB=RB1+RB2,E極與N型半導(dǎo)體之間的PN結(jié)可等效為一個(gè)二極管,用VD表示。


  • SKM400GAR125D
    雙基極二極管的參數(shù)有多個(gè),主要參數(shù)分壓比、峰點(diǎn)電壓與電流、谷點(diǎn)電壓與電流、調(diào)制 極二極管的命各方法電流和耗散功率為例講解。分壓比。分壓比h是指雙基極二極管發(fā)射極E至第一基極B1間的電壓(不包括PN結(jié)管壓降)占兩基極問電壓的比例,是雙基極二極管很重要的參數(shù),一般在0.3~0.9,是由管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)所決定的常數(shù)。峰點(diǎn)電壓與電流。峰點(diǎn)電壓是指雙基極二極管剛開始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射椒E與第一基極B1間的電壓,其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫作峰點(diǎn)電流。谷點(diǎn)電壓與電流。谷點(diǎn)電壓是指雙基極二極管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與第一基極B1間的電壓,其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫作谷點(diǎn)電流。
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