IGBT模塊
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一般保存IGBT模塊的場所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5~35℃ ，常濕的規(guī)定在45~75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機加濕;2. 盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合; 在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方;保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物; 裝IGBT模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。 檢測IGBT模塊的的辦法。
IGBT管的開通和關(guān)斷是由柵極電壓來控制的，IGBT管的等效電路如圖1所示。由圖1可知，當(dāng)柵極加正電壓時.MOSFET內(nèi)形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT管導(dǎo)通，此時高耐壓的IGBT管也具有低的導(dǎo)通態(tài)壓降。在柵極上加負(fù)電壓時，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT管即關(guān)斷。IGBT管與M()SFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極、發(fā)射極間施加十幾伏的直流電壓.只有微安級的漏電流，基本上不消耗功率，顯示了輸入阻抗大的優(yōu)點。IGBT的電路符號仍然沒有統(tǒng)一的畫法，圖1(a)和圖1(b)為IGBT管最常見的電路符號。
IGBT管的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，IGBT管的UGE的耐壓值為20V，在IGBT管加超出耐壓值的電壓時，會導(dǎo)致?lián)p壞的危險。此外，在柵極一發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高。集電極則有電流流過，這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT管發(fā)熱乃至損壞。 擎住效應(yīng)或自鎖效應(yīng):溝道電阻上產(chǎn)生的壓降.相當(dāng)于對J3結(jié)施加正偏壓。一旦J3開通，柵極就會失去對集電極電流的控制作用。電流失控，動態(tài)擎住效應(yīng)比靜態(tài)擎住效應(yīng)所允許的集電極電流小。擎住效應(yīng)曾限制IGBT電流容量提高，20世紀(jì)90年代中后期逐漸解決，即將IGBT與反并聯(lián)的快速二極管封裝在一起，制成模塊，成為逆導(dǎo)器件。
該參數(shù)決定了器件的最高工作電壓，這是由內(nèi)部PNP晶體管所能承受的擊穿電壓確定的。最大集電極電流包括在一定的殼溫下額定直流電流和脈寬最大電流。不同廠商產(chǎn)品的標(biāo)稱電流通常為殼溫25℃或80℃條件下的額定直流電流。該參數(shù)與IGBT的殼溫密切相關(guān)，而且由于器件實際工作時的殼溫一般都較高，所以選用時必須加以重視。在一定的殼溫下IGBT允許的最大功耗，該功耗將隨殼溫升高而下降。柵射間施加一定電壓，在一定的結(jié)溫及集電極電流條件下，集射間飽和通態(tài)壓降。此壓降在集電極電流較小時呈負(fù)溫度系數(shù)，在電流較大時為正溫度系數(shù)，這一特性使IGBT并聯(lián)運行也較為容易。
雙極型晶體管是一種電流控制器件，電子和空穴同時參與導(dǎo)電。同場效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管開關(guān)速度慢，輸入阻抗小，功耗大。雙極型晶體管體積小、重量輕、耗電少、壽命長、可靠性高，已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達(dá)、計算機、自控裝置、電子儀器、家用電器等領(lǐng)域，起放大、振蕩、開關(guān)等作用。晶體管:用不同的摻雜方式在同一個硅片上制造出三個摻雜區(qū)域，并形成兩個PN結(jié)，就構(gòu)成了晶體管。輸入特性曲線:描述了在管壓降UCE一定的情況下，基極電流iB與發(fā)射結(jié)壓降uBE之間的關(guān)系稱為輸入伏安特性，可表示為: 硅管的開啟電壓約為0.7V，鍺管的開啟電壓約為0.3V。輸出特性曲線:描述基極電流IB為一常量時，集電極電流iC與管壓降uCE之間的函數(shù)關(guān)系。
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