IGBT模塊
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這是共發(fā)射極組態(tài)的擊穿電壓，即基極開路時、集電極與發(fā)射極之間的擊穿電壓。由于在基極開路時，集電結(jié)是反偏、發(fā)射結(jié)是正偏的，即BJT處于放大狀態(tài)。溫度對的影響: 是集電結(jié)加反向電壓時平衡少子的漂移運動形成的，當(dāng)溫度升高時，熱運動加劇，更多的價電子有足夠的能量掙脫共價鍵的束縛，從而使少子的濃度明顯增大， 增大。溫度每升高10 時， 增加約一倍。硅管的 比鍺管的小得多，硅管比鍺管受溫度的影響要小。溫度對輸入特性的影響:溫度升高，正向特性將左移。溫度對輸出特性的影響:溫度升高時 增大。
輸入特性曲線:描述了在管壓降UCE一定的情況下，基極電流iB與發(fā)射結(jié)壓降uBE之間的關(guān)系稱為輸入伏安特性，可表示為: 硅管的開啟電壓約為0.7V，鍺管的開啟電壓約為0.3V。輸出特性曲線:描述基極電流IB為一常量時，集電極電流iC與管壓降uCE之間的函數(shù)關(guān)系?？杀硎緸?雙極型晶體管輸出特性可分為三個區(qū)截止區(qū):發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三極管當(dāng)作一個開關(guān)，這個狀態(tài)相當(dāng)于斷開狀態(tài)。飽和區(qū):發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正向偏置。在飽和區(qū)IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三極管當(dāng)作一個開關(guān)，這時開關(guān)處于閉合狀態(tài)。
由兩個背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號增益的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點接觸晶體三極管，50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu):PNP型和NPN型。在這3層半導(dǎo)體中，中間一層稱基區(qū)，外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)基區(qū)注入少量電流時，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會形成較大的電流，這就是晶體管的放大效應(yīng)。IC受IB的控制，與UCE的大小幾乎無關(guān)。因此三極管是一個受電流IB控制的電流源。特性曲線平坦部分之間的間隔大小，反映基極電流IB對集電極電流IC控制能力的大小，間隔越大表示管子電流放大系數(shù)b越大。伏安特性最低的那條線為IB=0，表示基極開路，IC很小，此時的IC就是穿透電流ICEO。
單極型晶體管也稱場效應(yīng)管，簡稱FET(Field Effect Transistor)。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產(chǎn)生的電場效應(yīng)來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子（多數(shù)載流子）參與導(dǎo)電，故稱為單極型晶體管。 特點：輸入電阻高，可達107 ~ 1015 Ω，絕緣柵型場效應(yīng)管(IGFET) 可高達 1015 Ω。噪聲低，熱穩(wěn)定性好，工藝簡單，易集成，器件特性便于控制，功耗小，體積小，成本低。 分類：根據(jù)材料的不同可分為結(jié)型場效應(yīng)管JFET (Junction Field Effect Transistor)和絕緣柵型場效應(yīng)管IGFET(Insulated Gate FET) 。
雙極型晶體管也稱晶體三極管，它是一種電流控制型器件，由輸入電流控制輸出電流，其本身具有電流放大作用。它工作時有電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電過程，故稱為雙極型三極管。 特點：
三極管可用來對微弱信號進行放大和作無觸點開關(guān)。它具有結(jié)構(gòu)牢固、壽命長、體積小、耗電省等一系列獨特優(yōu)點，故在各個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。 分類：
根據(jù)材料的不同晶體三極管可分為硅管(Si)與鍺管(Ge)。
硅三極管的反向漏電流小，耐壓高，溫度漂移小，且能在較高的溫度下工作和承受較大的功率損耗。鍺三極管的增益大，頻率響應(yīng)好，尤其適用于低壓線路。
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