可控硅半控半橋、全橋
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對管內(nèi)部包含兩只快恢復(fù)二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管(單管)的外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型(共陰對管)、MUR1680A型(共陽對管)超快恢復(fù)二極管的外形與構(gòu)造。它們均采用TO-220塑料封裝，幾十安的快恢復(fù)二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。PN結(jié)兩端各引出一個電極并加上管殼，就形成了半導(dǎo)體二極管。PN結(jié)的P型半導(dǎo)體一端引出的電極稱為陽極，PN結(jié)的N型半導(dǎo)體一端引出的電極稱為陰極。半導(dǎo)體二極管按結(jié)構(gòu)不同可分為點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型。
點(diǎn)接觸型半導(dǎo)體二極管由一根金屬絲與半導(dǎo)體表面相接觸，經(jīng)過特殊工藝，在接觸點(diǎn)上形成PN結(jié)，作出引線，加上管殼封裝而成。點(diǎn)接觸型二極管的PN結(jié)面積小，高頻性能好，適用于高頻檢波電路、開關(guān)電路。面接觸型半導(dǎo)體二極管，它的PN結(jié)是用合金法工藝制作而成的。面接觸型二極管的PN結(jié)面積大，可通過較大的電流，一般用于低頻整流電路中。是平面型半導(dǎo)體二極管，它的PN結(jié)是用擴(kuò)散法工藝制作的。平面型二極管常用硅平面開關(guān)管，其PN結(jié)面積較大時，適用于大功率整流;其PN結(jié)面積較小時，適用于脈沖數(shù)字電路中做開關(guān)管使用。
正向特性即二極管正向偏置時的電壓與電流的關(guān)系。二極管兩端加正向電壓較小時，正向電壓產(chǎn)生的外 電場不足以使多子形成擴(kuò)散運(yùn)動，這時的二極管實(shí)際上還沒有很好地導(dǎo)通，通常稱為"死區(qū)"，二極管相當(dāng)于一個極大的電阻，正向電流很小。當(dāng)正向電壓超過一定值后，內(nèi)電場被大大削弱，多子在外電場的作用下形成擴(kuò)散運(yùn)動，這時，正向電流隨正向電壓的增大迅速增大，二極管導(dǎo)通。該電壓稱為門檻電壓(也稱閾值電壓)，用Vth表示。在室溫下，硅管的Vth約為0.5V，鍺管的Vth約為0.1V。二極管一旦導(dǎo)通后，隨著正向電壓的微小增加，正向電流會有極大的增加，此時二極管呈現(xiàn)的電阻很小，可認(rèn)為二極管具有恒壓特性。二極管的正向壓降硅管約為0.6~0.8V(通常取0.7V)，鍺管約為0.2~0.3V(通常取0.2V)。 ·
反向特性即二極管反向偏置時的電壓與電流的關(guān)系。反向電壓加強(qiáng)了內(nèi)電場對多子擴(kuò)散的阻礙，多子幾乎不能形成電流，但是少子在電場的作用下漂移，形成很小的漂移電流，且與反向電壓的大小基本無關(guān)。此時的反向電流稱為反向飽和電流盡，二極管呈現(xiàn)很高的反向電阻，處于截止?fàn)顟B(tài)。反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流急劇增大，這種現(xiàn)象稱為二極管的反向擊穿。此時對應(yīng)的電壓稱為反向擊穿電壓，用%R表示。實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)該對反向擊穿后的電流加以限制，以免損壞二極管。
目視法判斷半導(dǎo)體二極管的極性:一般在實(shí)物的電路圖中可以通過眼睛直接看出半導(dǎo)體二極管的正負(fù)極。在實(shí)物中如果看到一端有顏色標(biāo)示的是負(fù)極，另外一端是正極。用萬用表判斷半導(dǎo)體二極管的極性:通常選用萬用表的歐姆檔(R*100或R*1K)，然后分別用萬用表的兩表筆分別出接到二極管的兩個極上出，當(dāng)二極管導(dǎo)通，測的阻值較小(一般幾十歐姆至幾千歐姆之間)，這時黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負(fù)極。當(dāng)測的阻值很大(一般為幾百至幾千歐姆)，這時黑表筆接的是二極管的負(fù)極，紅表筆接的是二極管的正極。
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