可控硅半控半橋、全橋
- 晶閘管T在工作過(guò)程中,它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件:1. 晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),不管門極承受和種電壓,晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。2. 晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。3. 晶閘管在導(dǎo)通情況下,只要有一定的正向陽(yáng)極電壓,不論門極電壓如何,晶閘管保持導(dǎo)通,即晶閘管導(dǎo)通后,門極失去作用。4. 晶閘管在導(dǎo)通情況下,當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí),晶閘管關(guān)斷。
- 自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,等等。今天大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對(duì)外有三個(gè)電極:第一層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?,關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
二極管,電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過(guò),許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectifying)”功能。二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(guò)(稱為順向偏壓),反向時(shí)阻斷 (稱為逆向偏壓)。因此,二極管可以想成電子版的逆止閥。 -
整流單元用于電網(wǎng)的三相交流電變成直流。可分為可控整流和不可控整流兩大類。可控整流由于存在輸出電壓含有較多的諧波、輸入功率因數(shù)低、控制部分復(fù)雜、中間直流大電容造成的調(diào)壓慣性大相應(yīng)緩慢等缺點(diǎn),隨著PMW技術(shù)的出現(xiàn)可控整流在交直交變頻器中已經(jīng)被淘汰。不可控整流是目前交直交變頻器的主流形式,它有2種構(gòu)成形式,6支整流二極管或6支晶閘管組成三相整流橋。
它的功能是將工頻電源進(jìn)行整流,經(jīng)中間直流環(huán)節(jié)平波后為逆變電路和控制電路提供所需的直流電源。三相交流電源一般需經(jīng)過(guò)吸收電容和壓敏電阻網(wǎng)絡(luò)引入整流橋的輸入端。網(wǎng)絡(luò)的作用,是吸收交流電網(wǎng)的高頻諧波信號(hào)和浪涌過(guò)電壓,從而避免由此而損壞變頻器。當(dāng)電源電壓為三相380V時(shí),整流器件的最大反向電壓一般為1200—1600V,最大整流電流為變頻器額定電流的兩倍。
- 整流橋原理主要是由其三個(gè)組成部分完成的。
(1)將工頻電源變換為直流功率的“整流器”:它把工頻電源變換為直流電源。也可用兩組晶體管變流器構(gòu)成可逆變流器,由于其功率方向可逆,可以進(jìn)行再生運(yùn)轉(zhuǎn)。
(2)吸收在變流器和逆變器產(chǎn)生的電壓脈動(dòng)的“平波回路”:在整流器整流后的直流電壓中,含有電源6倍頻率的脈動(dòng)電壓,此外逆變器產(chǎn)生的脈動(dòng)電流也使直流電壓變動(dòng)。
(3)將直流功率變換為交流功率的“逆變器”:同整流器相反,逆變器是將直流功率變換為所要求頻率的交流功率,以所確定的時(shí)間使6個(gè)開關(guān)器件導(dǎo)通、關(guān)斷就可以得到3相交流輸出。 - 整流橋的作用將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。
整流橋是通過(guò)二極管的單向?qū)ㄔ韥?lái)完成整流作的,所以將其接入交流電路時(shí)它能使電路中的電流只按單向流動(dòng),即所謂“整流”。整流器通常由4只二極管組成單相橋式全波整流器和6只二極管組成三相橋式全波整流器。分別使用在單相線路和三相線路的整流。穎展電子元器件上有詳細(xì)說(shuō)明。
整流二極管的作用中的反向擊穿,反向擊穿按機(jī)理原理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。整流二極管在高摻雜濃度的情況下,整流二極管因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大會(huì)破壞勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子空穴,整流二極管的作用中的另一種擊穿為雪崩擊穿。