可控硅半控半橋、全橋
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第一步，先將S斷開，此時雙向晶閘管關(guān)斷，燈泡應(yīng)熄滅。若燈泡正常發(fā)光，則說明雙向晶閘管T1-T2極間短路，管子報廢;如果燈泡輕微發(fā)光，表明T1-T2漏電流太大，管子的性能很差。出現(xiàn)上述兩種情況，應(yīng)停止試驗。第二步:閉合S，因為門極上有觸發(fā)信號，所以只需經(jīng)過幾微秒的時間，雙向晶閘管即導(dǎo)通通，白熾燈上有交流電流通過而正常發(fā)光。具體工作過程分析如下:在交流電的正半周，設(shè)Ua>Ub，則T2為正，T1為負(fù)，G相對于T2也為負(fù)，雙向晶閘管按照T2-T1的方向?qū)?。在交流電的?fù)半周，設(shè)Ua<Ub，則T2為負(fù)，T1為正，G相對于T2也為正，雙向晶閘管沿著T1→T2的方向?qū)?。綜上所述，僅當(dāng)S閉合時燈泡才能正常發(fā)光，說明雙向晶閘管質(zhì)量良好。如果閉合時燈泡仍不發(fā)光，證明門極已損壞。
雙向晶閘管與單向晶閘管一樣，也具有觸發(fā)控制特性。不過，它的觸發(fā)控制特性與單向晶閘管有很大的不同，這就是無論在陽極和陰極間接入何種極性的電壓，只要在它的控制極上加上一個觸發(fā)脈沖，也不管這個脈沖是什么極性的,都可以使雙向晶閘管導(dǎo)通。由于雙向晶閘管在陽、陰極間接任何極性的工作電壓都可以實現(xiàn)觸發(fā)控制，因此雙向晶閘管的主電極也就沒有陽極、陰極之分，通常把這兩個主電極稱為T1電極和T2電極，將接在P型半導(dǎo)體材料上的主電極稱為T1電極，將接在N型半導(dǎo)體材料上的電極稱為T2電極。由于雙向晶閘管的兩個主電極沒有正負(fù)之分，所以它的參數(shù)中也就沒有正向峰值電壓與反同峰值電壓之分，而只用一個最大峰值電壓，雙向晶閘管的其他參數(shù)則和單向晶閘管相同。
把紅表筆接T2極，黑表筆接T1極，然后使T1與G短路，給G極加上正觸發(fā)信號，電阻值仍為十歐左右，與G極脫開后若阻值不變，則說明管子經(jīng) 觸發(fā)后，在T1一T2方向上也能維持導(dǎo)通狀態(tài)，因此具有雙向觸發(fā)性質(zhì)。由此證明上述假定正確。否則是假定與實際不符，需再作出假定，重復(fù)以上測量。顯見， 在識別G、T2，的過程中，也就檢查了雙向晶閘管的觸發(fā)能力。如果按哪種假定去測量，都不能使雙向晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通，證明管于巳損壞。對于lA的管子，亦可用RXl0檔檢測，對于3A及3A以上的管子，應(yīng)選RXl檔，否則難以維持導(dǎo)通狀態(tài)。
雙向晶閘管的發(fā)展現(xiàn)狀在我國精管行業(yè)發(fā)展很快。國內(nèi)分立器件廠商的主要產(chǎn)品以硅基二極管、三極管和晶閘管為主，國際功率半導(dǎo)體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來才有所涉及，且主要為平面柵結(jié)構(gòu)的VDMOS器件，IGBT還處于研發(fā)階段。寬禁帶半導(dǎo)體器件主要是以微波功率器件(SiCMESFET和GaNHEMT)為主，尚未有針對市場應(yīng)用的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品器件的產(chǎn)品研發(fā)。普通二極管、三極管國內(nèi)的自給率已經(jīng)很高，但是在高檔的功率二極管，大部分還依賴進口，國內(nèi)的產(chǎn)品性能還有不小的差距。
反向恢復(fù)時間(tr)的定義:電流通過零點由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為最大反向恢復(fù)電流。Irr為反向恢復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=0.1IRM。當(dāng)t≤t0時，正向電流I=IF。當(dāng)t>t0時，由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速降低，在t=t1時刻，I=0。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR逐漸增大;在t=t2時刻達到最大反向恢復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，并在t=t3時刻達到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相似之處。
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