IGBT模塊
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對(duì)IGBT進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，應(yīng)選用指針式萬(wàn)用表。首先將萬(wàn)用表?yè)艿絉×1KΩ檔，用萬(wàn)用表測(cè)量各極之間的阻值，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則此極為柵極（G）。再用萬(wàn)用表測(cè)量其余兩極之間的阻值，若測(cè)得阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后阻值較小，當(dāng)測(cè)量阻值較小時(shí)，紅表筆接觸的為集電極（C），黑表筆接觸的為發(fā)射極（E）。判斷IGBT好壞時(shí)必須選用指針式萬(wàn)用表（電子式萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低），也可以使用9V電池代替。首先將萬(wàn)用表?yè)艿絉×10KΩ檔（R×1KΩ檔時(shí)，內(nèi)部電壓過(guò)低，不足以使IGBT導(dǎo)通），用黑表筆接IGBT的集電極（C）,紅表筆接IGBT的發(fā)射極（E），此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針明顯擺動(dòng)并指向阻值較小的方向并能維持在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和發(fā)射極（E），這時(shí)IGBT被阻斷，萬(wàn)用表的指針回零。在檢測(cè)中以上現(xiàn)象均符合，可以判定IGBT是好的，否則該IGBT存在問(wèn)題。
在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，在柵極—發(fā)射極間開(kāi)路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò)。這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
在柵極—發(fā)射極間開(kāi)路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò)。這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
在使用IGBT的場(chǎng)合，當(dāng)柵極回路不正常或柵極回路損壞時(shí)(柵極處于開(kāi)路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與模塊片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在模塊器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般模塊片底部安裝有模塊風(fēng)扇，當(dāng)模塊風(fēng)扇損壞中模塊片模塊不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對(duì)模塊風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在模塊片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。
MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?
三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅 由Vce來(lái)決定，即不能采用飽和Rce來(lái)表示(因Rce會(huì)變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。
MOS管在ON狀態(tài)時(shí)工作于線性區(qū)(相當(dāng)于三極管的飽和區(qū))，與三極管相似，電流Ids由Vgs和Vds決定，但MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓Vgs一般可保持不變，因而Ids可僅受Vds影響，即在Vgs固定的情況下，導(dǎo)通阻抗Rds基本保持不變，所以MOS管采用Rds方式。
我們只是說(shuō)電流可以從D--to--S ，也可以從S----to---D。但是并不意味著：D和S 這兩個(gè)端子的名字可以互換。
DS溝道的寬度是靠GS電壓控制的。當(dāng)G固定了，誰(shuí)是S就唯一確定了。如果將上面確定為S端的，認(rèn)為是D。將原來(lái)是D的認(rèn)為是S ，并且給G和這個(gè)S施加電壓，結(jié)果溝道并不變化，仍然是關(guān)閉的。當(dāng)Vgs沒(méi)有到達(dá)Vth之前，通過(guò)驅(qū)動(dòng)電阻R對(duì)Cgs充電，這個(gè)階段的模型就是簡(jiǎn)單的RC充電過(guò)程。當(dāng)Vgs充到Vth之后，DS導(dǎo)電溝道開(kāi)始開(kāi)啟，Vd開(kāi)始劇烈下降。按照I=C*dV/dt ,寄生電容Cgd有電流流過(guò) 方向：G -->D 。按照G接點(diǎn)KCL Igd電流將分流IR，大部分驅(qū)動(dòng)電流轉(zhuǎn)向Igd，留下小部分繼續(xù)流到Cgs。因此，Vgs出現(xiàn)較平坦變化的一小段。這就是miler平臺(tái)。
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