将军猛烈顶弄双性暗卫H漫画,jizz国产精品,少妇人妻综合久久中文字幕,国产精品特级毛片一区二区三区,极品美女扒开粉嫩小泬AV视频

手機(jī)  |   地圖  |   RSS

IGBT模塊

  • BSM400GA120DLC
    絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射(或柵源)極之間是容性結(jié)構(gòu),柵極回路的寄生電感又是不可避免的,如果沒(méi)有柵極電阻,那柵極回路在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)脈沖的激勵(lì)下要產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩,因此必須串聯(lián)一個(gè)電阻加以迅速衰減。電容電感都是無(wú)功元件,如果沒(méi)有柵極電阻,驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上,使其溫度上升很多。柵極電阻小,開(kāi)關(guān)器件通斷快,開(kāi)關(guān)損耗小;反之則慢,同時(shí)開(kāi)關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過(guò)快將使開(kāi)關(guān)器件的電壓和電流變化率大大提高,從而產(chǎn)生較大的干擾,嚴(yán)重的將使整個(gè)裝置無(wú)法工作,因此必須統(tǒng)籌兼顧。
  • BSM400GA120DN2
    能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間,由于電路中其他部分的工作,會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào),這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此,最好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5~15 V),使IGBT在柵極出現(xiàn)開(kāi)關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止。具有柵極電壓限幅電路,保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍就可能破壞柵極。由于IGBT多用于高壓場(chǎng)合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)與整個(gè)控制電路在電位上嚴(yán)格隔離,一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)盡可能的簡(jiǎn)單、實(shí)用。應(yīng)具有IGBT的完整保護(hù)功能,很強(qiáng)的抗干擾能力,且輸出阻抗應(yīng)盡可能的低。
     
  • BSM400GA170DLC
     IGBT,半導(dǎo)體制造的人都以為不就是一個(gè)分立器件(Power Disceret)嘛,都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路制造一樣,是國(guó)家“02專項(xiàng)”的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目,這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里技術(shù)最先進(jìn)的產(chǎn)品,已經(jīng)全面取代了傳統(tǒng)的Power MOSFET,其應(yīng)用非常廣泛,小到家電、大到飛機(jī)、艦船、交通、電網(wǎng)等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè),被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”,長(zhǎng)期以來(lái),該產(chǎn)品(包括芯片)還是被壟斷在少數(shù)IDM手上(FairChild、Infineon、TOSHIBA),位居“十二五”期間國(guó)家16個(gè)重大技術(shù)突破專項(xiàng)中的第二位(簡(jiǎn)稱 “02專項(xiàng)”)。為了等一下便于理解IGBT,我還是先講下Power MOSFET的結(jié)構(gòu)。所謂功率MOS就是要承受大功率,換言之也就是高電壓、大電流。我們結(jié)合一般的低壓MOSFET來(lái)講解如何改變結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高壓、大電流。
  • bsm600ga120dLC

    高電壓:一般的MOSFET如果Drain的高電壓,很容易導(dǎo)致器件擊穿,而一般擊穿通道就是器件的另外三端(S/G/B),所以要解決高壓?jiǎn)栴}必須堵死這三端。Gate端只能靠場(chǎng)氧墊在Gate下面隔離與漏的距離(Field-Plate),而B(niǎo)ulk端的PN結(jié)擊穿只能靠降低PN結(jié)兩邊的濃度,而最討厭的是到Source端,它則需要一個(gè)長(zhǎng)長(zhǎng)的漂移區(qū)來(lái)作為漏極串聯(lián)電阻分壓,使得電壓都降在漂移區(qū)上就可以了。

     大電流:一般的MOSFET的溝道長(zhǎng)度有Poly CD決定,而功率MOSFET的溝道是靠?jī)纱螖U(kuò)散的結(jié)深差來(lái)控制,所以只要process穩(wěn)定就可以做的很小,而且不受光刻精度的限制。而器件的電流取決于W/L,所以如果要獲得大電流,只需要提高W就可以了。

  • DD540N
    雖然這樣的器件能夠?qū)崿F(xiàn)大功率要求,可是它依然有它固有的缺點(diǎn),由于它的源、柵、漏三端都在表面,所以漏極與源極需要拉的很長(zhǎng),太浪費(fèi)芯片面積。而且由于器件在表面則器件與器件之間如果要并聯(lián)則復(fù)雜性增加而且需要隔離。所以后來(lái)發(fā)展了VDMOS(Vertical DMOS),把漏極統(tǒng)一放到Wafer背面去了,這樣漏極和源極的漂移區(qū)長(zhǎng)度完全可以通過(guò)背面減薄來(lái)控制,而且這樣的結(jié)構(gòu)更利于管子之間的并聯(lián)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)大功率化。但是在BCD的工藝中還是的利用LDMOS結(jié)構(gòu),為了與CMOS兼容。他們的做法是在Wafer表面挖一個(gè)槽,把管子的溝道從原來(lái)的Planar變成了沿著槽壁的 vertical,果然是個(gè)聰明的想法。但是一個(gè)餡餅總是會(huì)搭配一個(gè)陷阱(IC制造總是在不斷trade-off),這樣的結(jié)構(gòu)天生的缺點(diǎn)是槽太深容易電 場(chǎng)集中而導(dǎo)致?lián)舸?,而且工藝難度和成本都很高,且槽的底部必須絕對(duì)rouding,否則很容易擊穿或者產(chǎn)生應(yīng)力的晶格缺陷。
QQ在線咨詢
銷售電話:
021-31007009
1513253456
2691319466