- 在上面介紹的Power MOSFET其實根本上來講它還是傳統(tǒng)的MOSFET,它依然是單一載流子(多子)導電,所以我們還沒有發(fā)揮出它的極致性能。所以后來發(fā)展出一個新的結 構,我們如何能夠在Power MOSFET導通的時候除了MOSFET自己的電子我還能從漏端注入空穴不就可以了嗎?所以自然的就在漏端引入了一個P+的injection layer (這就是名字的由來),而從結構上漏端就多了一個P+/N-drift的PN結,不過他是正偏的,所以它不影響導通反而增加了空穴注入效應,所以它的特性就類似BJT了有兩種載流子參與導電。所以原來的source就變成了Emitter,而Drain就變成了Collector了。
- 這樣的結構好處是提高了電流驅動能力,但壞處是當器件關斷時,溝道很快關斷沒有了多子電流,可是Collector (Drain)端這邊還繼續(xù)有少子空穴注入,所以整個器件的電流需要慢慢才能關閉(拖尾電流, tailing current),影響了器件的關斷時間及工作頻率。這個可是開關器件的大忌啊,所以又引入了一個結構在P+與N-drift之間加入N+buffer層,這一層的作用就是讓器件在關斷的時候,從Collector端注入的空穴迅速在N+ buffer層就被復合掉提高關斷頻率,我們稱這種結構為PT-IGBT (Punch Through型),而原來沒有帶N+buffer的則為NPT-IGBT。電動控制系統(tǒng) 大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅動汽車電機;車載空調控制系統(tǒng) 小功率直流/交流(DC/AC)逆變,使用電流較小的IGBT和FRD;充電樁 智能充電樁中IGBT模塊被作為開關元件使用;
- IGBT各代之間的技術差異,要了解這個,我們先看一下IGBT的發(fā)展歷程。工程師在實際應用中發(fā)現(xiàn),需要一種新功率器件能同時滿足:·驅動電路簡單,以降低成本與開關功耗;通態(tài)壓降較低,以減小器件自身的功耗。回顧他們在1950-60年代發(fā)明的雙極型器件SCR,GTR和GTO通態(tài)電阻很?。浑娏骺刂?,控制電路復雜且功耗大;1970年代推出的單極型器件VD-MOSFET通態(tài)電阻很大;電壓控制,控制電路簡單且功耗小;因此到了1980年代,他們試圖把MOS與BJT技術集成起來的研究,導致了IGBT的發(fā)明。 1985年前后美國GE成功試制工業(yè)樣品(可惜后來放棄)。自此以后, IGBT主要經歷了6代技術及工藝改進。
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