全部產(chǎn)品
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只有一個PN結(jié)作為發(fā)射極而有兩個基極的三端半導體器件，早期稱為雙基極二極管。其典型結(jié)構(gòu)是以一個均勻輕摻雜高電阻率的N型單晶半導體作為基區(qū),兩端做成歐姆接觸的兩個基極，在基區(qū)中心或者偏向其中一個極的位置上用淺擴散法重摻雜制成 PN結(jié)作為發(fā)射極(圖中)。當基極B1和B2之間加上電壓時(圖中b)，電流從B2流向B1,并在結(jié)處基區(qū)對B1的電勢形成反偏狀態(tài)。如果將一個信號加在發(fā)射極上，且此信號超過原反偏電勢時，器件呈導電狀態(tài)。一旦正偏狀態(tài)出現(xiàn)，便有大量空穴注入基區(qū)，使發(fā)射極和B1之間的電阻減小，電流增大，電勢降低，并保持導通狀態(tài)，改變兩個基極間的偏置或改變發(fā)射極信號才能使器件恢復原始狀態(tài)。
顯著增加，rb1阻值迅速減小，Ve相應下降，這種電壓隨電流增加反而下降的特性，稱為負阻特性。管子由截止區(qū)進入負阻區(qū)的臨界P稱為峰點，與其對應的發(fā)射極電壓和電流，分別稱為峰點電壓Vp和峰點電流Ip。Ip是正向漏電流，它是使單結(jié)晶體管導通所需的最小電流，顯然Vp=ηVbb隨著發(fā)射極電流ie不斷上升，Ve不斷下降，降到V點后，Ve不再降了，這點V稱為谷點，與其對應的發(fā)射極電壓和電流，稱為谷點電壓，Vv和谷點電流Iv。過了V點后，發(fā)射極與第一基極間半導體內(nèi)的載流子達到了飽和狀態(tài)，所以uc繼續(xù)增加時，ie便緩慢地上升，顯然Vv是維持單結(jié)晶體管導通的最小發(fā)射極電壓，如果Ve<Vv，管子重新截止。
判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是:把萬用表置于R*100擋或R*1K擋，黑表筆接假設(shè)的發(fā)射極，紅表筆接另外兩極，當出現(xiàn)兩次低電阻時，黑表筆接的就是單結(jié)晶體管的發(fā)射極。單結(jié)晶體管B1和B2的判斷方法是:把萬用表置于R*100擋或R*1K擋，用黑表筆接發(fā)射極，紅表筆分別接另外兩極，兩次測量中，電阻大的一次，紅表筆接的就是B1極。應當說明的是，上述判別B1、B2的方法，不一定對所有的單結(jié)晶體管都適用，有個別管子的E--B1間的正向電阻值較小。不過準確地判斷哪 極是B1，哪極是B2在實際使用中并不特別重要。即使B1、B2用顛倒了，也不會使管子損壞，只影響輸出脈沖的幅度(單結(jié)晶體管多作脈沖發(fā)生器使用)，當發(fā)現(xiàn)輸出的脈沖幅度偏小時，只要將原來假定的B1、B2對調(diào)過來就可以了。
雙基極二極管性能的好壞可以通過測量其各極間的電阻值是否正常來判斷。用萬用表R×1k檔，將黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆依次接兩個基極(B1和B2)，正常時均應有幾千歐至十幾千歐的電阻值。再將紅表筆接發(fā)射極E，黑表筆依次接兩個基極，正常時阻值為無窮大。雙基極二極管兩個基極(B1和B2)之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ范圍內(nèi)，若測得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時，則說明該二極管已損壞。單結(jié)晶體管具有大的脈沖電流能力而且電路簡單，因此在各種開關(guān)應用中，在構(gòu)成定時電路或觸發(fā)SCR等方面獲得了廣泛應用。它的開關(guān)特性具有很高的溫度穩(wěn)定性，基本上不隨溫度而變化。
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