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  • DSSK30-018A
    反向擊穿的現(xiàn)象發(fā)生在很多情況下面,比如二極管,三極管等等。以二極管為例:二極管是正向?qū)ǖ?,二極管兩端加反向電壓時(shí),電子不能通過(guò)二極管,使得二極管相當(dāng)于斷路,但是這個(gè)斷路取決于把二極管反向接時(shí),二極管兩端的電壓(即反向電壓),如果這個(gè)反向電壓足夠大,二極管就被擊穿了(你可以認(rèn)為變成導(dǎo)線(xiàn)了),此時(shí)這個(gè)擊穿的反向電壓就叫反向擊穿電壓。你也可以從字面做感性的理解:反向擊穿,反向,即為方向相反,就是說(shuō)反著接。擊穿,你可以認(rèn)為原來(lái)這是一堵墻,是一條死胡同,不讓人通過(guò),擊穿了所有人就能通過(guò)了(聯(lián)想一下電流),亦可以理解為高低河岸流而不能倒流,除非有超過(guò)河床高度的水流通過(guò)。
  • MCC 200-16IO1
    在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?/span>,而且還具有比硅整流元件(俗稱(chēng)"死硅")更為可貴的可控性.它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài).可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過(guò)此功率,因元件開(kāi)關(guān)損耗顯著增加,允許通過(guò)的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用.可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高,成本低等等.可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通.可控硅從外形上分類(lèi)主要有:螺栓形、平板形和平底形.
  • MCC 501-16IO1
    雙向可控硅的特性曲線(xiàn)是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線(xiàn)組合成的。第一象限的曲線(xiàn)說(shuō)明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對(duì)T1的極性為正時(shí),我們稱(chēng)為正向電壓,并用符號(hào)U21表示。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時(shí),圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,這時(shí)的通態(tài)電流為I21,方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到,觸發(fā)電流越大,轉(zhuǎn)折電壓就越低,這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的, 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對(duì)T2的極性為正時(shí),叫做反向電壓,并用符號(hào)U12表示。
  • MCD44-16IO8B
    雙向可控硅的主。電極上,無(wú)論加以正向電壓或是反向電壓,也不管觸發(fā)信號(hào)是正向還是反向,它都能被觸發(fā)導(dǎo)通,因此它有以下四種觸發(fā)方式:(1)當(dāng)主電極T2對(duì)Tl所加的電壓為正向電壓,控制積極G對(duì)第一電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號(hào)。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線(xiàn)可知,這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按第二象限的特性進(jìn)行的,又因?yàn)橛|發(fā)信號(hào)是正向的,所以把這種觸發(fā)叫做"第一象限的正向觸發(fā)"或稱(chēng)為I+觸發(fā)方式。(2)如果主電極T2仍加正向電壓,而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b),這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做"第一象限的負(fù)觸發(fā)"或稱(chēng)為I-觸發(fā)方式。
  • MDD950-18N1W
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