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全部產(chǎn)品

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AT847

在第二基極B2上串聯(lián)1個限流電阻R2，限制單結(jié)管的峰值功率電路中的CT或VP(峰值電壓)較大時，CT上應串聯(lián)一個保護電阻，以保護發(fā)射極B1不受到電損傷。例如:電容CT大于10μF或 VP大于30V時就應適當串電阻，這個附加電阻的阻值至少應取每微法CT串1Ω電阻。否則，較大的電容器放電電流會逐漸損傷單結(jié)管的EB1結(jié)，使振蕩器的振蕩頻率或單穩(wěn)電路的定時寬度隨著時間的增長而逐漸發(fā)生變化。在某些應用中，用一只二極管與單結(jié)管的基極B2或發(fā)射極E相串聯(lián)，這樣可改善溫度穩(wěn)定性及減小電源電壓變化的影響單結(jié)管和硅可控整流器的抗輻照特性很差，不宜在輻照環(huán)境中使用。
PD160FG-160

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。
PK55HB-120

當驅(qū)動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關系，電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時，就沒有足夠的時間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導通狀態(tài)。為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。
SNE4 333-0B
3NA3 820-6