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采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低 二極管采用第6代LPT硅片技術(shù)，正向?qū)▔航档?硅片結(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻 全系列共享同一封裝平臺(tái) 有條件接受客戶定制

采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低 硅片結(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻 封裝兼容第五代A/NF系列模塊

第6代CSTBTTM硅片技術(shù)帶來： 杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝 良好的匹配液體冷卻 多孔型端子使得接觸阻抗更低，實(shí)現(xiàn)更可靠的長(zhǎng)期電氣連接 端子孔徑與安裝定位孔徑一致 不同高度的DC端子――直接連接層壓式母線棒

采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開關(guān)速度控制的最優(yōu)化
飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品
續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流
開關(guān)頻率可達(dá)60kHz
模塊內(nèi)部寄生電感低

采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開關(guān)速度控制的最優(yōu)化 飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品 續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流 開關(guān)頻率可達(dá)30kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低