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采用CSTBTTM硅片技術的第6代IGBT 寬的安全工作區(qū)，杰出的短路魯棒性 最優(yōu)的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高結溫可達175°C 新型無焊接Al基板，提供更高的溫度循環(huán)能力（DTc） 內(nèi)部硅片分布均勻，Rth(j-c)低 內(nèi)部封裝電感低，Lint<10nH 交流和直流主端子分離，便于直流母排連接 多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現(xiàn)更可靠的長期電氣連接 內(nèi)部集成NTC用于測量Tc溫度 P側和N側IGBT單元均有輔助集電極端子

采用最優(yōu)化CSTBTTM硅片技術 有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓撲結構 內(nèi)部集成NTC測溫電阻 全系列共享同一封裝平臺 耐功率循環(huán)和熱循環(huán)能力強 具有競爭力的性價比 有條件接受客戶定制

采用CSTBTTM硅片技術 飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小 比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝 內(nèi)置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小 模塊內(nèi)部寄生電感小 功率循環(huán)能力顯著改善

采用低損耗CSTBTTM硅片技術 LPT結構用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用 額定電流定義比市場上同類產(chǎn)品高一個等級 外形尺寸與H系列IGBT完全兼容 內(nèi)置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小 通過調整底板和基板間焊錫的厚度大大改善了溫度循環(huán)能力ΔTc 高功率循環(huán)能力

最新的CSTBTTM硅片技術帶來： 杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝 良好的匹配液體冷卻 多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現(xiàn)更可靠的長期電氣連接 端子孔徑與安裝定位孔徑一致 不同高度的DC端子――直接連接層壓式母線棒