IGBT模塊
當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > IGBT模塊
- 高速,低導(dǎo)通壓降 Tj=175℃ 電流在Tc=80℃ 標(biāo)稱(chēng) 用于變頻器
- 高速,低導(dǎo)通壓降 UPS/EPS廠家廣泛采用
- 采用CSTBTTM硅片技術(shù),實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)速度控制的最優(yōu)化
飽和壓降低于業(yè)界同類(lèi)產(chǎn)品
續(xù)流二極管:超高速恢復(fù)特性,極低拖尾電流
開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)60kHz
模塊內(nèi)部寄生電感低 - 采用CSTBTTM硅片技術(shù),實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)速度控制的最優(yōu)化 飽和壓降低于業(yè)界同類(lèi)產(chǎn)品 續(xù)流二極管:超高速恢復(fù)特性,極低拖尾電流 開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)30kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低
- 頻率5~20KHZ