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采用CSTBTTM硅片技術(shù) 飽和壓降低、短路承受能力強、驅(qū)動功率小 比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝 內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小 模塊內(nèi)部寄生電感小 功率循環(huán)能力顯著改善

采用低損耗CSTBTTM硅片技術(shù) LPT結(jié)構(gòu)用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用 額定電流定義比市場上同類產(chǎn)品高一個等級 外形尺寸與H系列IGBT完全兼容 內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小 通過調(diào)整底板和基板間焊錫的厚度大大改善了溫度循環(huán)能力ΔTc 高功率循環(huán)能力