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采用CSTBTTM硅片技術(shù)的第6代IGBT 寬的安全工作區(qū)，杰出的短路魯棒性 最優(yōu)的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高結(jié)溫可達(dá)175°C 新型無(wú)焊接Al基板，提供更高的溫度循環(huán)能力（DTc） 內(nèi)部硅片分布均勻，Rth(j-c)低 內(nèi)部封裝電感低，Lint<10nH 交流和直流主端子分離，便于直流母排連接 多孔型端子使得接觸阻抗更低，實(shí)現(xiàn)更可靠的長(zhǎng)期電氣連接 內(nèi)部集成NTC用于測(cè)量Tc溫度 P側(cè)和N側(cè)IGBT單元均有輔助集電極端子

電氣參數(shù)：（1）額定輸入電壓：660V、440V、380V；
（2）額定輸出電壓： 440V、380V、220V；
（3）聯(lián)結(jié)方式：Y，yn0、D，yn11、D，y11、Y，d11。
（4）絕緣等級(jí)：B級(jí)、F級(jí)

?適用變換器：推挽式、半橋式、全橋式、正激式、軟開關(guān)等
?材質(zhì)：鐵基非晶、鐵基納米晶（超微晶）等