全部產(chǎn)品
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快恢復二極管的內(nèi)部結(jié)構與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復二極管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極管的反向恢復電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復及超快恢復二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構看，可分成單管、對管(亦稱雙管)兩種。
對管內(nèi)部包含兩只快恢復二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復二極管(單管)的外形及內(nèi)部結(jié)構。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型(共陰對管)、MUR1680A型(共陽對管)超快恢復二極管的外形與構造。它們均采用TO-220塑料封裝，幾十安的快恢復二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。PN結(jié)兩端各引出一個電極并加上管殼，就形成了半導體二極管。PN結(jié)的P型半導體一端引出的電極稱為陽極，PN結(jié)的N型半導體一端引出的電極稱為陰極。半導體二極管按結(jié)構不同可分為點接觸型、面接觸型和平面型。
點接觸型半導體二極管由一根金屬絲與半導體表面相接觸，經(jīng)過特殊工藝，在接觸點上形成PN結(jié)，作出引線，加上管殼封裝而成。點接觸型二極管的PN結(jié)面積小，高頻性能好，適用于高頻檢波電路、開關電路。面接觸型半導體二極管，它的PN結(jié)是用合金法工藝制作而成的。面接觸型二極管的PN結(jié)面積大，可通過較大的電流，一般用于低頻整流電路中。是平面型半導體二極管，它的PN結(jié)是用擴散法工藝制作的。平面型二極管常用硅平面開關管，其PN結(jié)面積較大時，適用于大功率整流;其PN結(jié)面積較小時，適用于脈沖數(shù)字電路中做開關管使用。
正向特性即二極管正向偏置時的電壓與電流的關系。二極管兩端加正向電壓較小時，正向電壓產(chǎn)生的外 電場不足以使多子形成擴散運動，這時的二極管實際上還沒有很好地導通，通常稱為"死區(qū)"，二極管相當于一個極大的電阻，正向電流很小。當正向電壓超過一定值后，內(nèi)電場被大大削弱，多子在外電場的作用下形成擴散運動，這時，正向電流隨正向電壓的增大迅速增大，二極管導通。該電壓稱為門檻電壓(也稱閾值電壓)，用Vth表示。在室溫下，硅管的Vth約為0.5V，鍺管的Vth約為0.1V。二極管一旦導通后，隨著正向電壓的微小增加，正向電流會有極大的增加，此時二極管呈現(xiàn)的電阻很小，可認為二極管具有恒壓特性。二極管的正向壓降硅管約為0.6~0.8V(通常取0.7V)，鍺管約為0.2~0.3V(通常取0.2V)。 ·
反向特性即二極管反向偏置時的電壓與電流的關系。反向電壓加強了內(nèi)電場對多子擴散的阻礙，多子幾乎不能形成電流，但是少子在電場的作用下漂移，形成很小的漂移電流，且與反向電壓的大小基本無關。此時的反向電流稱為反向飽和電流盡，二極管呈現(xiàn)很高的反向電阻，處于截止狀態(tài)。反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流急劇增大，這種現(xiàn)象稱為二極管的反向擊穿。此時對應的電壓稱為反向擊穿電壓，用%R表示。實際應用中，應該對反向擊穿后的電流加以限制，以免損壞二極管。
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