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全部產(chǎn)品

  • FZ900R12KP4
    該參數(shù)決定了器件的最高工作電壓,這是由內(nèi)部PNP晶體管所能承受的擊穿電壓確定的。最大集電極電流包括在一定的殼溫下額定直流電流脈寬最大電流。不同廠商產(chǎn)品的標(biāo)稱電流通常為殼溫25℃或80℃條件下的額定直流電流。該參數(shù)與IGBT的殼溫密切相關(guān),而且由于器件實際工作時的殼溫一般都較高,所以選用時必須加以重視。在一定的殼溫下IGBT允許的最大功耗,該功耗將隨殼溫升高而下降。柵射間施加一定電壓,在一定的結(jié)溫及集電極電流條件下,集射間飽和通態(tài)壓降。此壓降在集電極電流較小時呈負溫度系數(shù),在電流較大時為正溫度系數(shù),這一特性使IGBT并聯(lián)運行也較為容易。
  • FZ1000R25KF1
    晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(FET)。晶體管有三個極雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collector); 場效應(yīng)晶體管的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
  • FZ1000R33HE3
    在雙極性晶體管中,射極到基極的很小的電流,會使得發(fā)射極到集電極之間,產(chǎn)生大電流;在場效應(yīng)晶體管中,在柵極施加小電壓,來控制源極和泄極之間的電流。在模擬電路中,晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩(wěn)壓電路;在計算機電源中,主要用于開關(guān)電源。晶體管也應(yīng)用于數(shù)字電路,主要功能是當(dāng)成電子開關(guān)。數(shù)字電路包括邏輯門、隨機存取內(nèi)存(RAM)和微處理器。晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值,例如最大電壓、最大電流、最大功率。
  • FZ1000R33HL3
    在超額的狀態(tài)下使用,晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪訊比等,可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號放大這一方面,其次是阻抗匹配、信號轉(zhuǎn)換等,晶體管在電路中是個很重要的元件,許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。晶體管比電子管體積小很多,需要空間比電子管小很多,電器使用晶體管可以做的很小。無論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍,稱得起永久性器件的美名。


  • FZ1200R12HP4?
    僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產(chǎn)生自由電子。一臺晶體管收音機只要幾節(jié)干電池就可以半年一年地聽下去,這對電子管收音機來說,是難以做到的。一開機就工作。例如,晶體管收音機一開就響,晶體管電視機一開就很快出現(xiàn)畫面。電子管設(shè)備就做不到這一點。開機后,非得等一會兒才聽得到聲音,看得到畫面。顯然,在軍事、測量、記錄等方面,晶體管是非常有優(yōu)勢的。理論上和實際證明,不同種類的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作,而電子管的第二電源(乙電)最低也要數(shù)伏,最高也就1000多伏,所以晶體管能被用在更廣泛的電路中,使其他優(yōu)勢得以發(fā)揮。
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