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全部產(chǎn)品

  • DZ540N22K
     這樣的結(jié)構(gòu)好處是提高了電流驅(qū)動能力,但壞處是當(dāng)器件關(guān)斷時,溝道很快關(guān)斷沒有了多子電流,可是Collector (Drain)端這邊還繼續(xù)有少子空穴注入,所以整個器件的電流需要慢慢才能關(guān)閉(拖尾電流, tailing current),影響了器件的關(guān)斷時間及工作頻率。這個可是開關(guān)器件的大忌啊,所以又引入了一個結(jié)構(gòu)在P+與N-drift之間加入N+buffer層,這一層的作用就是讓器件在關(guān)斷的時候,從Collector端注入的空穴迅速在N+ buffer層就被復(fù)合掉提高關(guān)斷頻率,我們稱這種結(jié)構(gòu)為PT-IGBT (Punch Through型),而原來沒有帶N+buffer的則為NPT-IGBT。電動控制系統(tǒng) 大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅(qū)動汽車電機;車載空調(diào)控制系統(tǒng) 小功率直流/交流(DC/AC)逆變,使用電流較小的IGBT和FRD;充電樁 智能充電樁中IGBT模塊被作為開關(guān)元件使用;
  • DZ1070N26K-DS
            IGBT廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端:

    從發(fā)電端來看,風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。

    從輸電端來看,特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件。

    從變電端來看,IGBT是電力電子變壓器(PET)的關(guān)鍵器件。

    從用電端來看,家用白電、 微波爐、 LED照明驅(qū)動等都對IGBT有大量的需求。

  • F3L100R07W2E3_B11
     IGBT各代之間的技術(shù)差異,要了解這個,我們先看一下IGBT的發(fā)展歷程。工程師在實際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn),需要一種新功率器件能同時滿足:·驅(qū)動電路簡單,以降低成本與開關(guān)功耗;通態(tài)壓降較低,以減小器件自身的功耗。回顧他們在1950-60年代發(fā)明的雙極型器件SCR,GTR和GTO通態(tài)電阻很??;電流控制,控制電路復(fù)雜且功耗大;1970年代推出的單極型器件VD-MOSFET通態(tài)電阻很大;電壓控制,控制電路簡單且功耗??;因此到了1980年代,他們試圖把MOS與BJT技術(shù)集成起來的研究,導(dǎo)致了IGBT的發(fā)明。 1985年前后美國GE成功試制工業(yè)樣品(可惜后來放棄)。自此以后, IGBT主要經(jīng)歷了6代技術(shù)及工藝改進(jìn)。
  • F3L100R12W2H3_B11
            IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主,中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù),如燒結(jié)取代焊接,壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。

    隨著IGBT芯片技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片的最高工作結(jié)溫與功率密度不斷提高, IGBT模塊技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來IGBT模塊技術(shù)將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進(jìn)。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢:無焊接、 無引線鍵合及無襯板/基板封裝技術(shù);內(nèi)部集成溫度傳感器電流傳感器及驅(qū)動電路等功能元件,不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。

  • F3L200R07PE4
     IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N-溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急劇的轉(zhuǎn)變,先是采用非穿通(NPT)結(jié)構(gòu),繼而變化成弱穿通(LPT)結(jié)構(gòu),這就使安全工作區(qū)(SOA)得到同表面柵結(jié)構(gòu)演變類似的改善。這次從穿通(PT)型技術(shù)先進(jìn)到非穿通(NPT)型技術(shù),是最基本的,也是很重大的概念變化。這就是:穿通(PT)技術(shù)會有比較高的載流子注入系數(shù),而由于它要求對少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運效率變壞。
  • F3L300R07PE4
    IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動,各種驅(qū)動保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品水平為1200-1800A/1800-3300V,IPM除用于變頻調(diào)速外,600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,大大降低電路接線電感,提高系統(tǒng)效率,現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM,其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點。

    大電流高電壓的IGBT已模塊化,它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,已制造出集成化的IGBT專用驅(qū)動電路。其性能更好,整機的可靠性更高及體積更小。

  • FF100R12KS4
     這次從穿通(PT)型技術(shù)先進(jìn)到非穿通(NPT)型技術(shù),是最基本的,也是很重大的概念變化。這就是:穿通(PT)技術(shù)會有比較高的載流子注入系數(shù),而由于它要求對少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運效率變壞。另一方面,非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運效率,不過其載流子注入系數(shù)卻比較低。進(jìn)而言之,非穿通(NPT)技術(shù)又被軟穿通(LPT)技術(shù)所代替,它類似于某些人所謂的“軟穿通”(SPT)或“電場截止”(FS)型技術(shù),這使得“成本—性能”的綜合效果得到進(jìn)一步改善。
    1996年,CSTBT(載流子儲存的溝槽柵雙極晶體管)使第5代IGBT模塊得以實現(xiàn)[6],它采用了弱穿通(LPT)芯片結(jié)構(gòu),又采用了更先進(jìn)的寬元胞間距的設(shè)計。包括一種“反向阻斷型”(逆阻型)功能或一種“反向?qū)ㄐ汀?逆導(dǎo)型)功能的IGBT器件的新概念正在進(jìn)行研究,以求得進(jìn)一步優(yōu)化。
  • FF100R12RT4
     80年代初期,用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來。[2]在那個時候,硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計。后來,通過采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個顯著改進(jìn),這是隨著硅片上外延的技術(shù)進(jìn)步,以及采用對應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計的n+緩沖層而進(jìn)展的[3]。幾年當(dāng)中,這種在采用PT設(shè)計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu),其設(shè)計規(guī)則從5微米先進(jìn)到3微米。
    90年代中期,溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT,它是采用從大規(guī)模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術(shù)實現(xiàn)的新刻蝕工藝,但仍然是穿通(PT)型芯片結(jié)構(gòu)。[4]在這種溝槽結(jié)構(gòu)中,實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時間之間折衷的更重要的改進(jìn)。
  • FF150R12ME3G
     IGBT由柵極(G)、發(fā)射極(E)和集電極(C)三個極控制。如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。由圖2可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。 如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動電壓過低則IGBT不能穩(wěn)定的工作,如果過高甚至超過柵極—發(fā)射極之間的耐壓,則IGBT可能會永久損壞。同樣,如果IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓超過允許值,則流過IGBT的電流會超限,導(dǎo)致IGBT的結(jié)溫超過允許值,此時IGBT也有可能會永久損壞。
  • FWH-35B
    保險絲與熔斷器的區(qū)別,其實保險絲屬稱熔斷器,可以這樣說,保險絲就是熔斷器,熔斷器不一定等于保險絲,保險絲是一成品電子元器件,但熔斷器,可以是一個半成品,就是說沒有成型的電子元器件。所以說我通常會在產(chǎn)品目錄上標(biāo)保險絲,而不標(biāo)識熔斷器的原因。保險絲所代表范圍小得多,而熔斷器代表范圍大得多。保險絲的總類繁多,而熔斷作為材料,還是比較單一,目前市面上的熔斷器大概分兩形式,一種是通過過流來實現(xiàn)對電路進(jìn)行保護(hù),另一種則是通過溫來對電路進(jìn)保護(hù),不管那種方式,它的作用于,當(dāng)我們電路發(fā)生故障時,可以及時切斷電源,來保護(hù)我們設(shè)備。
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