| 產(chǎn)品型號 | 參數(shù)說明 | 下載 |
| MDD312-16N1 | 312A/1600V | /Attachment/20200616/48162931.pdf |
IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動，各種驅(qū)動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點。
大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外，已制造出集成化的IGBT專用驅(qū)動電路。其性能更好，整機的可靠性更高及體積更小。
MDD 312-16 N1
MDD312-14N1
MDD312-22N1
MDD26 -14N1B
MDD26-16IO1B
MDD44-14IO1B
MDD44-14N1B
MDD44-16IO1B
MDD56-14N1B
MDD56-16N1B
MDD72-16N1B