產(chǎn)品型號 | 參數(shù)說明 | 下載 |
2MBI1400VXB-120P-50 | 120A/500V | /Attachment/20200611/16483594.pdf |
當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低于門限值時,溝道被禁止,沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下,如果MOSFET電流在開關(guān)階段迅速下降,集電極電流則逐漸降低,這是因為換向開始后,在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子(少子)。這種殘余電流值(尾流)的降低,完全取決于關(guān)斷時電荷的密度,而密度又與幾種因素有關(guān),如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓撲,層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形,集電極電流引起以下問題:功耗升高;交叉導(dǎo)通問題,特別是在使用續(xù)流二極管的設(shè)備上,問題更加明顯。
6MBI50S-120
6MBI75S-120
6MBI100S-120
6MBI100S-120-52