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巴斯曼BUSSMANN保險(xiǎn)絲熔芯底座

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FWP-200A

其中P溝道增強(qiáng)型MOSFET--Q1是實(shí)現(xiàn)負(fù)載斷路的關(guān)鍵元件。當(dāng)MAX668在關(guān)閉模式時(shí)，二極管D1仍然導(dǎo)通，使得MAX810L的電源端的電壓為3.3V減去二極管D1的管壓降。由于MAX810L的復(fù)位門檻電平為4.65V，因此其RESET端輸出為高電平，迫使Q1關(guān)斷，從而使負(fù)載與輸入電源斷開。MAX668通過外部反饋電阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)定5V輸出電壓。當(dāng)輸出電壓超MAX810L的復(fù)位門檻電平時(shí)，其內(nèi)部單穩(wěn)電路開始工作并延時(shí)約240ms。
FWP-300A

MAX810L(微功耗器件)具有非平衡推挽輸出級(jí)。當(dāng)對(duì)外輸出電流時(shí)，它等效于一個(gè)6kΩ電阻;當(dāng)從外汲取電流時(shí)，它等效于一個(gè)125Ω的電阻。當(dāng)導(dǎo)通或關(guān)斷Q1時(shí)，由于MAX810L的電阻阻止了Q1的密勒電容和柵源電容快速充放電，因此使開關(guān)瞬態(tài)過程得以減慢。假定Q1總的等效電容為5000pF時(shí)，則MAX810汲取電流時(shí)(等效于125Ω電阻)大電流三極管的RC電路的時(shí)間常數(shù)約為0.6μs。整個(gè)導(dǎo)通過程電壓瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間大約為10RC=6μs。完全關(guān)斷同樣開關(guān)Q1的時(shí)間大約是完全導(dǎo)通時(shí)間的48倍。
FWP-700A

為了獲得增強(qiáng)型通道及較低的導(dǎo)通電阻，上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET，如果Q1的導(dǎo)通電阻值較大且在其兩端產(chǎn)生較大的壓降(特別是低輸出電壓應(yīng)用場合或負(fù)載離電源的距離較遠(yuǎn)時(shí))，則應(yīng)該從Q1漏極端反饋電壓調(diào)節(jié)輸出。設(shè)計(jì)電路時(shí)，必須最小化寄生參數(shù)同時(shí)仔細(xì)考慮電路布局。利用一個(gè)SOT23封裝的低電壓模擬開關(guān)(MAX4544)可實(shí)現(xiàn)上述遠(yuǎn)端調(diào)節(jié)，該開關(guān)受控于MAX810L的輸出
FWJ-100A

由軸對(duì)稱的引線(Lead)、在規(guī)定溫度下可熔化的易熔合金(fusible alloy)及為防止其熔化氧化的特殊混合物(special compound)和絕緣瓷管(ceramic insulator)構(gòu)成。周圍溫度上升時(shí)特定的樹脂混合物開始液化，當(dāng)達(dá)到熔點(diǎn)時(shí)在樹脂混合物的幫助下(增大已熔化合金的表面張力)，已熔化合金在表面張力的作用下迅速以兩端引線為中心收縮成球狀，從而永久切斷回路。由軸對(duì)稱的引線(Lead)、在規(guī)定溫度下可熔化的易熔合金(fusible alloy)及為防止其熔化氧化的特殊混合物(special compound)和絕緣瓷管(ceramic insulator)構(gòu)成。
FNQ-R-4A

1)故障斷開后，可以手操復(fù)位，不必更換元件，除非切斷大短路電流后需要維修;2)有反時(shí)限特性的長延時(shí)脫扣器和瞬時(shí)電流脫扣器兩段保護(hù)功能，分別作為過載和短路防護(hù)用，各司其職;3)帶電操機(jī)構(gòu)時(shí)可實(shí)現(xiàn)遙控。2、主要缺點(diǎn)和弱點(diǎn)1)上下級(jí)非選擇型斷路器間難以實(shí)現(xiàn)選擇性切斷，故障電流較大時(shí)，很容易導(dǎo)致上下級(jí)斷路器均瞬時(shí)斷開;2)相對(duì)價(jià)格略高;3)部分?jǐn)嗦菲鞣謹(jǐn)嗄芰^小，如額定電流較小的斷路器裝設(shè)在靠近大容量變壓器位置時(shí)，會(huì)使分?jǐn)嗄芰Σ粔颉，F(xiàn)有高分?jǐn)嗄芰Φ漠a(chǎn)品可以滿足，但價(jià)較高。