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熔斷器

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零功率電阻低:自復(fù)保險(xiǎn)絲自身阻抗較低，正常工作時(shí)功率損耗小，表面溫度低。過流保護(hù)速度快:自復(fù)保險(xiǎn)絲由于自身材料特性，過流狀態(tài)響應(yīng)速度比其它過流保護(hù)裝置快得多。自鎖運(yùn)行:自復(fù)保險(xiǎn)絲在過流保護(hù)狀態(tài)，以極小的電流鎖定在高阻狀態(tài)，只有切斷電源或過電流消失后，才會(huì)恢復(fù)低阻狀態(tài)。自動(dòng)復(fù)位:自復(fù)保險(xiǎn)絲在起到過流保護(hù)作用后(故障排除)自行復(fù)位，無需進(jìn)行拆換。耐大電流:自復(fù)保險(xiǎn)絲有極好的耐大電流能力，有的規(guī)格可承受100A電流沖擊。應(yīng)用:PPTC的應(yīng)用范圍很廣，可以用在各種電子產(chǎn)品、通訊產(chǎn)品、電源供應(yīng)器等。
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電阻保險(xiǎn)絲的電阻在整個(gè)電路中并不重要。由于安培數(shù)小于1的保險(xiǎn)絲電阻只有幾個(gè)歐姆，所以在低壓電路中采用保險(xiǎn)絲時(shí)應(yīng)考慮這個(gè)問題。大部分的保險(xiǎn)絲是用溫度系數(shù)為正的材料制造的，因此，就有冷電阻和熱電阻之分。環(huán)境溫度保險(xiǎn)絲的電流承載能力，其實(shí)驗(yàn)是在25℃環(huán)境溫度條件下進(jìn)行的，這種實(shí)驗(yàn)受環(huán)境溫度變化的影響。環(huán)境溫度越高，保險(xiǎn)絲的工作溫度就越高，其壽命也就越短。相反，在較低的溫度下運(yùn)行會(huì)延長保險(xiǎn)絲的壽命。熔斷額定容量也稱為致斷容量。熔斷額定容量是保險(xiǎn)絲在額定電壓下能夠確實(shí)熔斷的最大許可電流。短路時(shí)，保險(xiǎn)絲中會(huì)多次通過比正常工作電流大的瞬時(shí)過載電流。安全運(yùn)行要求保險(xiǎn)絲保持完整的狀態(tài)(無爆裂或斷裂)并消除短路。
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對(duì)于大多數(shù)采用電感的非同步整流升壓型開關(guān)變換器，其輸入和輸出之間都存在一條直流通路，如圖1所示。該通路的存在會(huì)造成兩種不良后果:其一，一旦輸出短路或嚴(yán)重過載時(shí)間超出幾百毫秒將導(dǎo)致二極管(通常為肖特基二極管)過熱損壞;其二，當(dāng)由于某種原因，比如人為關(guān)閉，使開關(guān)振蕩電路停止工作，負(fù)載端仍然有電壓存在，只是比輸入端低一個(gè)二極管的管壓降而已，這時(shí)輸出仍會(huì)消耗能量。除此之外，如果該殘存電壓低于負(fù)載穩(wěn)態(tài)工作電壓范圍，將使電路處于不確定狀態(tài)。
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在正常工作狀態(tài)，電路內(nèi)部的高端取樣電阻對(duì)負(fù)載電流周期性地進(jìn)行采樣，因此避免了因過流導(dǎo)致災(zāi)難性后果出現(xiàn)。因此，內(nèi)部過熱保護(hù)電路為變換器提供了安全工作區(qū)(SAO)。其中MAX668是一個(gè)開關(guān)控制器，由它完成升壓功能。電流反饋型升壓控制器(MAX668)驅(qū)動(dòng)低端邏輯電平N溝道增強(qiáng)型MOSFET，該開關(guān)管通過低端電流取樣電阻到地。高端開關(guān)是一肖特基二極管，選擇它主要是它具有低的正向?qū)▔航?。由圖可見，升壓變換器的拓?fù)浠窘Y(jié)構(gòu)未被破壞。本應(yīng)用中，MAX668把3.3V電壓變?yōu)?V，負(fù)載電流可達(dá)3A。
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其中P溝道增強(qiáng)型MOSFET--Q1是實(shí)現(xiàn)負(fù)載斷路的關(guān)鍵元件。當(dāng)MAX668在關(guān)閉模式時(shí)，二極管D1仍然導(dǎo)通，使得MAX810L的電源端的電壓為3.3V減去二極管D1的管壓降。由于MAX810L的復(fù)位門檻電平為4.65V，因此其RESET端輸出為高電平，迫使Q1關(guān)斷，從而使負(fù)載與輸入電源斷開。MAX668通過外部反饋電阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)定5V輸出電壓。當(dāng)輸出電壓超MAX810L的復(fù)位門檻電平時(shí)，其內(nèi)部單穩(wěn)電路開始工作并延時(shí)約240ms。之后，MAX810L的輸出變低，使Q1導(dǎo)通。Q1導(dǎo)通之后，MAX810L一直監(jiān)測(cè)輸出電壓以確定輸出是否過流。過載將會(huì)導(dǎo)致輸出電壓下降，當(dāng)它低于MAX810L門檻電平時(shí)，MAX810L的輸出經(jīng)過20μs的延遲后由高變低，從而關(guān)斷Q1并使負(fù)載斷開。