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可控硅

  • MCC 200-16IO1
    在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?/span>,而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性.它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài).可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備,如果超過此功率,因元件開關(guān)損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用.可控硅的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等.可控硅的弱點:靜態(tài)動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通.可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形.
  • MCC 501-16IO1
    雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的。第一象限的曲線說明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時,我們稱為正向電壓,并用符號U21表示。當(dāng)這個電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時,圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,這時的通態(tài)電流為I21,方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到,觸發(fā)電流越大,轉(zhuǎn)折電壓就越低,這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的, 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時,叫做反向電壓,并用符號U12表示。
  • MCD44-16IO8B
    雙向可控硅的主。電極上,無論加以正向電壓或是反向電壓,也不管觸發(fā)信號是正向還是反向,它都能被觸發(fā)導(dǎo)通,因此它有以下四種觸發(fā)方式:(1)當(dāng)主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓,控制積極G對第一電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知,這時雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按第二象限的特性進行的,又因為觸發(fā)信號是正向的,所以把這種觸發(fā)叫做"第一象限的正向觸發(fā)"或稱為I+觸發(fā)方式。(2)如果主電極T2仍加正向電壓,而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b),這時雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做"第一象限的負觸發(fā)"或稱為I-觸發(fā)方式。
  • MDD950-18N1W
  • VUO 160-16 NO7
           對于1~6A雙向可控硅,紅筆接T1極,黑筆同時接G、T2極,在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐(視可控硅電流大小、廠家不同而異)。然后將兩筆對調(diào),重復(fù)上述步驟測一次,指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,則表明可控硅良好,且觸發(fā)電壓(或電流)小。

    若保持接通A極或T2極時斷開G極,指針立即退回∞位置,則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。可按圖2方法進一步測量,對于單向可控硅,閉合開關(guān)K,燈應(yīng)發(fā)亮,斷開K燈仍不息滅,否則說明可控硅損壞。

    對于雙向可控硅,閉合開關(guān)K,燈應(yīng)發(fā)亮,斷開K,燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接,重復(fù)上述步驟,均應(yīng)是同一結(jié)果,才說明是好的。否則說明該器件已損壞。

    對可控硅的引腳區(qū)分,有的可從外形封裝加以判別,如外殼就為陽極,陰極引線比控制極引線長。從外形無法判斷的可控硅,可用萬用表R×100或R×1K擋,測量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻,當(dāng)萬用表指示低阻值(幾百歐至幾千歐的范圍)時,黑表筆所接的是控制極G,紅表筆所接的是陰極K,余下的一只管腳為陽極A。

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