可控硅半控半橋、全橋
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驅(qū)動器內(nèi)的保護(hù)電路通過 v6 檢測到這一狀態(tài)后 ,一方面在 10μs 內(nèi)逐步降低柵壓 ,使 igbt進(jìn)入軟關(guān)斷狀態(tài) ,另一方面通過光耦 v2 向控制電路發(fā)出過流信號。 光電耦合驅(qū)動器的最大特點(diǎn)是雙側(cè)都是有源的 ,由它提供的正向脈沖及負(fù)向封鎖脈沖的寬度可以不受限制 ,而且可以較容易地通過檢測 igbt通態(tài)集電極電壓實現(xiàn)各種情況下的過流及短路保護(hù) ,并對外送出過流信號。目前國內(nèi)外都趨向于把這種驅(qū)動器做成厚膜電路的形式 ,因此具有使用較方便 ,一致性及穩(wěn)定性較好的優(yōu)點(diǎn)。其不足之處是需要較多的工作電源。 例如 ,全橋式開關(guān)電源一般需要四個工作電源 ,從而增加了電路的復(fù)雜性。驅(qū)動器中的光電耦合器盡管速度較高 ,但對脈沖信號仍會有 1μs左右的滯后時間 ,不適應(yīng)某些要求較高的場合。 光電耦合器的輸入輸出間耐壓一般為交流2500v ,這對某些場合是不夠的。
確定igbt門極容量 在設(shè)計和選購igbt 驅(qū)動器之前,必須首先知道igbt 的門極負(fù)荷q,這是一個十分重要的參數(shù),但在igbt 的技術(shù)參數(shù)中生產(chǎn)廠家一般并不直接給出,而需要我們借助其它參數(shù)得到。igbt 具有mosfet 的輸入級,在igbt的技術(shù)資料中往往有一個參數(shù)ciss,一般我們把它叫作輸入電容,該電容的測試往往是在ugs=0,uos=25v,f=1mhz 的情況下進(jìn)行,由于密勒效應(yīng), 該值往往比在ugs= o v 時要小,根據(jù)實踐經(jīng)驗,igbt 的輸入電容一般滿足下面的公式 cin≈5ciss 一般simens 和 eupec 公司的igbt 滿足上述公式。
DSEI2X61-12B
DSEI2X101-06A
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