IGBT模塊
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- 最大反向電流IR:它是二極管在最高反向工作電壓下允許流過的反向電流,此參數(shù)反映了二極管單向?qū)щ娦阅艿暮脡摹R虼诉@個電流值越小,表明二極管質(zhì)量越好。擊穿電壓VB:指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點(diǎn)的電壓值。反向?yàn)檐浱匦詴r,則指給定反向漏電流條件下的電壓值。最高工作頻率fm:它是二極管在正常情況下的最高工作頻率。主要由PN結(jié)的結(jié)電容及擴(kuò)散電容決定,若工作頻率超過fm,則二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫伢w現(xiàn)。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。另有快恢復(fù)二極管用于頻率較高的交流電的整流,如開關(guān)電源中。
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IGBT 在開通過程中,大部分時間是作為MOSFET 來運(yùn)行的,只是在漏源電壓Uds 下降過程后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間,tri 為電流上升時間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和,漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓,柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動電路時,必須基于以下的參數(shù)來進(jìn)行:器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。
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- (1)防雷、過電壓保護(hù)措施不力。整流裝置未設(shè)置防雷、過電壓保護(hù)裝置,即使設(shè)置了防雷、過電壓保護(hù)裝置,但其工作不可靠,因雷擊或過電壓而損壞整流管。(2)運(yùn)行條件惡劣。間接傳動的發(fā)電機(jī)組,因轉(zhuǎn)速之比的計(jì)算不正確或兩皮帶盤直徑之比不符合轉(zhuǎn)速之比的要求,使發(fā)電機(jī)長期處于高轉(zhuǎn)速下運(yùn)行,而整流管也就長期處于較高的電壓下工作,促使整流管加速老化,并被過早地?fù)舸p壞。(3)運(yùn)行管理欠佳。值班運(yùn)行人員工作不負(fù)責(zé)任,對外界負(fù)荷的變化(特別是在深夜零點(diǎn)至第二天上午6點(diǎn)之間)不了解,或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負(fù)荷故障,運(yùn)行人員沒有及時進(jìn)行相應(yīng)的操作處理,產(chǎn)生過電壓而將整流管擊穿損壞。
- 設(shè)備安裝或制造質(zhì)量不過關(guān)。由于發(fā)電機(jī)組長期處于較大的振動之中運(yùn)行,使整流管也處于這一振動的外力干擾之下;同時由于發(fā)電機(jī)組轉(zhuǎn)速時高時低,使整流管承受的工作電壓也隨之忽高忽低地變化,這樣便大大地加速了整流管的老化、損壞。整流管規(guī)格型號不符。更換新整流管時錯將工作參數(shù)不符合要求的管子換上或者接線錯誤,造成整流管擊穿損壞。整流管安全裕量偏小。整流管的過電壓、過電流安全裕量偏小,使整流管承受不起發(fā)電機(jī)勵磁回路中發(fā)生的過電壓或過電流暫態(tài)過程峰值的襲擊而損壞。