将军猛烈顶弄双性暗卫H漫画,jizz国产精品,少妇人妻综合久久中文字幕,国产精品特级毛片一区二区三区,极品美女扒开粉嫩小泬AV视频

手機(jī)  |   地圖  |   RSS

IGBT模塊

  • SKKT58-16E
    結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,JFET):JFET是由p-n結(jié)柵極(G)與源極(S)和漏極(D)構(gòu)成的一種具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通過(guò)電壓改變溝道的導(dǎo)電性來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電流的控制。對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET),最常見(jiàn)到的是耗盡型JFET(D-JFET),即在0柵偏壓時(shí)就存在有溝道 的JFET;一般,不使用增強(qiáng)型JFET(E-JFET)--在0柵偏壓時(shí)不存在溝道 的JFET。這主要是由于長(zhǎng)溝道E-JFET在使用時(shí)較難以產(chǎn)生出導(dǎo)電的溝道、從而導(dǎo)通性能不好的緣故。不過(guò),由于高速、低功耗電路中應(yīng)用的需要,有時(shí)也需要采用E-JFET。
  • SKKT92 SKKH92  SKKT92B
    JFET導(dǎo)電的溝道在體內(nèi)。耗盡型和增強(qiáng)型這兩種晶體管在工藝和結(jié)構(gòu)上的差別主要在于其溝道區(qū)的摻雜濃度和厚度。D-JFET的溝道的摻雜濃度較高、厚度較大,以致于柵pn結(jié)的內(nèi)建電壓不能把溝道完全耗盡;而E-JFET的溝道的摻雜濃度較低、厚度較小,則柵pn結(jié)的內(nèi)建電壓即可把溝道完全耗盡。但是,對(duì)于短溝道E-JFET,情況則有所不同,因?yàn)檫@種晶體管的漏極電壓可以作用到源極附近,使得溝道中的勢(shì)壘降低,所以能夠形成導(dǎo)電溝道。這種E-JFET從本質(zhì)上來(lái)說(shuō)也就是靜電感應(yīng)晶體管。
  • SKKT92-18E
    對(duì)于耗盡型的JFET,在平衡時(shí)(不加電壓)時(shí),溝道電阻最小;電壓Vds和Vgs都可改變柵p-n結(jié)勢(shì)壘的寬度,并因此改變溝道的長(zhǎng)度和厚度(柵極電壓使溝道厚度均勻變化,源漏電壓使溝道厚度不均勻變化),使溝道電阻變化,從而導(dǎo)致Ids變化,以實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)的放大。當(dāng)Vds較低時(shí),JFET的溝道呈現(xiàn)為電阻特性,是所謂電阻工作區(qū),這時(shí)漏極電流基本上隨著電壓Vds的增大而線性上升,但漏極電流隨著柵極電壓Vgs的增大而平方式增大;進(jìn)一步增大Vds時(shí),溝道即首先在漏極一端被夾斷,則漏極電流達(dá)到最大而飽和(飽和電流搜大小決定于沒(méi)有被夾斷的溝道的電阻),這就是JFET的飽和放大區(qū),這時(shí)JFET呈現(xiàn)為一個(gè)恒流源。
  • SKKT106
    JFET的特點(diǎn)是:①是電壓控制器件,則不需要大的信號(hào)功率。②是多數(shù)載流子導(dǎo)電的器件,是所謂單極晶體管,則無(wú)少子存儲(chǔ)與擴(kuò)散問(wèn)題,速度高,噪音系數(shù)低;而且漏極電流Ids的溫度關(guān)系決定于載流子遷移率的溫度關(guān)系,則電流具有負(fù)的溫度系數(shù),器件具有自我保護(hù)的功能。③輸入端是反偏的p-n結(jié), 則輸入阻抗大, 便于匹配。④輸出阻抗也很大, 呈現(xiàn)為恒流源,這與BJT大致相同。⑤JFET一般是耗盡型的,但若采用高阻襯底, 也可得到增強(qiáng)型JFET(增強(qiáng)型JFET在高速、低功耗電路中很有應(yīng)用價(jià)值);但是一般只有短溝道的JFET才是能很好工作的增強(qiáng)型器件。
  • SKKT106-16E
    通態(tài)特性:大注入下基區(qū)和集電區(qū)發(fā)生調(diào)制效應(yīng),通態(tài)壓降很低開(kāi)關(guān)特性:關(guān)斷過(guò)程中的電流集中現(xiàn)象:由于基區(qū)存在自偏壓效應(yīng),在晶體管關(guān)斷過(guò)程中使發(fā)射極邊緣部分反偏,邊緣關(guān)斷而中心仍導(dǎo)通,于是出現(xiàn)電流集中現(xiàn)象,二次擊穿特性,和所有繼電器一樣。值得說(shuō)明的是當(dāng)?shù)谝淮窝┍罁舸┖螅釉贐JT上的能力超過(guò)臨界值才產(chǎn)生二次擊穿,也就是說(shuō)二次擊穿需要能量。作為放大器,應(yīng)用在電源串聯(lián)調(diào)壓電路,音頻和超聲波放大等領(lǐng)域。作為大功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān),電視機(jī)行輸出電路,電機(jī)控制,不停電電源和汽車電子、GTR模塊,應(yīng)用于交流傳動(dòng),逆變器和開(kāi)關(guān)電源。
QQ在線咨詢
銷售電話:
021-31007009
1513253456
2691319466