IGBT模塊
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晶體管是一種半導體器件，放大器或電控開關(guān)常用。晶體管是規(guī)范操作電腦，手機，和所有其他現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建塊。由于其響應速度快，準確性，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能，包括放大，開關(guān)，穩(wěn)壓，信號調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨立包裝或在一個非常小的的區(qū)域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和 沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實驗室制造出第一個晶體管。1950年：威廉·邵克雷開發(fā)出雙極晶體管（Bipolar Junction Transistor），這是現(xiàn)在通行的標準的晶體管。
晶體管的出現(xiàn)，是電子技術(shù)之樹上綻開的一朵絢麗多彩的奇葩。正因為晶體管的性能如此優(yōu)越，晶體管誕生之后，便被廣泛地應用于工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、國防建設以及人們?nèi)粘Ｉ钪小?953年，首批電池式的晶體管收音機一投放市場，就受到人們的熱烈歡迎，人們爭相購買這種收音機。接著，各廠家之間又展開了制造短波晶體管的競賽。此后不久，不需要交流電源的袖珍“晶體管收音機”開始在世界各地出售，又引起了一個新的消費熱潮。由于硅晶體管適合高溫工作，可以抵抗大氣影響，在電子工業(yè)領(lǐng)域是最受歡迎的產(chǎn)品之一。從1967年以來，電子測量裝置或者電視攝像機如果不是“晶體管化”的，那么就別想賣出去一件。輕便收發(fā)機，甚至車載的大型發(fā)射機也都晶體管化了。
晶體管還特別適合用作開關(guān)。它也是第二代計算機的基本元件。人們還常常用硅晶體管制造紅外探測器。就連可將太陽能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿碾姵亍柲茈姵匾捕寄苡镁w管制造。這種電池是遨游于太空的人造衛(wèi)星的必不可少的電源。晶體管這種小型簡便的半導體元件還為縫紉機、電鉆和熒光燈開拓了電子控制的途徑。從1950年至1960年的十年間，世界主要工業(yè)國家投入了巨額資金，用于研究、開發(fā)與生產(chǎn)晶體管和半導體器件。例如，純凈的鍺或硅半導體，導電性能很差，但加入少量其它元素（稱為雜質(zhì)）后，導電性能會提高許多。但是要想把定量雜質(zhì)正確地熔入鍺或硅中，必須在一定的溫度下，通過加熱等方法才能實現(xiàn)。而一旦溫度高于攝氏75度，晶體管就開始失效。
晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。直流電流放大系數(shù)也稱靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大倍數(shù)，是指在靜態(tài)無變化信號輸入時，晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。交流電流放大系數(shù)也稱動態(tài)電流放大系數(shù)或交流放大倍數(shù)，是指在交流狀態(tài)下，晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。hFE或β既有區(qū)別又關(guān)系密切，兩個參數(shù)值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。
耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大集電極耗散功率。耗散功率與晶體管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有密切關(guān)系。晶體管在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成晶體管因過載而損壞。通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管，將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大系數(shù)β值將隨著頻率的升高而下降。特征頻率是指β值降為1時晶體管的工作頻率。
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