IGBT模塊
阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的，有時(shí)對(duì)時(shí)間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電，抑制過電壓的效果較差。因此，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓與溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用，當(dāng)過電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極，電極之間填充的粒徑為 10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，其值小于 100μA。當(dāng)加上電壓時(shí)，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，抑制了過電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。
通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標(biāo)稱電壓變化在-10[%]以內(nèi)的最大沖擊電流值來表示。因?yàn)檎５?/span>壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數(shù)，標(biāo)稱電壓值不僅會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一電流時(shí)，標(biāo)稱電壓下降到0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量。
漏電流：指加一半標(biāo)稱直流電壓時(shí)測得的流過壓敏電阻的電流。
由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低，抑制過電壓能力強(qiáng)；平時(shí)漏電流小，放電后不會(huì)有續(xù)流，元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多，便于用戶選擇；伏安特性是對(duì)稱的，可用于交、直流或正負(fù)浪涌；因此用途較廣。
由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制，否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時(shí)，熱量來不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高，最終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負(fù)載過載或短路，相鄰設(shè)備故障影響等。
晶閘管過電流保護(hù)方法最常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動(dòng)作太慢，在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞；所以不能用來保護(hù)晶閘管。快速熔斷器由銀制熔絲埋于石英沙內(nèi)，熔斷時(shí)間極短，可以用來保護(hù)晶閘管?？焖?/span>熔斷器的性能主要有以下幾項(xiàng)表征。
晶閘管損壞后，若無同型號(hào)的晶閘管更換，可以選用與其性能參數(shù)相近的其他型號(hào)晶閘管來代換。應(yīng)用電路在設(shè)計(jì)時(shí)，一般均留有較大的裕量。在更換晶閘管時(shí)，只要留意其額定峰值電壓(重復(fù)峰值電壓)、額定電流(通態(tài)均勻電流)、門極觸發(fā)電壓和門極觸發(fā)電流即可，尤其是額定峰值電壓與額定電流這兩個(gè)指標(biāo)。
代換晶閘管應(yīng)與損壞晶閘管的開關(guān)速度…致。例如：在脈沖電路、高速逆變電路中使用的高速晶閘管損壞后，只能選用同類型的快速晶閘管，而不能用普通晶閘管來代換。
選取代用晶閘管時(shí)，不管什么參數(shù)，都不必留有過大的裕量，應(yīng)盡可能與被代換晶閘管的參數(shù)相近，由于過大的裕量不僅是一種浪費(fèi)，而且有時(shí)還會(huì)起副作用，出現(xiàn)不觸發(fā)或觸發(fā)不靈敏等現(xiàn)象。
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