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全部產(chǎn)品

  • T588N
    通流容量:是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流,每隔5分鐘沖擊1次,共沖擊10次,標(biāo)稱電壓變化在-10[%]以內(nèi)的最大沖擊電流值來表示。

    因?yàn)檎5?/span>壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數(shù),標(biāo)稱電壓值不僅會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降,而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,當(dāng)大到某一電流時(shí),標(biāo)稱電壓下降到0,壓敏電阻出現(xiàn)穿孔,甚至炸裂;因此必須限定通流容量。

    漏電流:指加一半標(biāo)稱直流電壓時(shí)測(cè)得的流過壓敏電阻的電流。

    由于壓敏電阻的通流容量大,殘壓低,抑制過電壓能力強(qiáng);平時(shí)漏電流小,放電后不會(huì)有續(xù)流,元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多,便于用戶選擇;伏安特性是對(duì)稱的,可用于交、直流或正負(fù)浪涌;因此用途較廣。

  • T589N
    由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小,特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時(shí),熱量來不及散發(fā),使得結(jié)溫迅速升高,最終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。

    產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的,例如,變流裝置本身晶閘管損壞,觸發(fā)電路發(fā)生故障,控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,以及交流電源電壓過高、過低或缺相,負(fù)載過載或短路,相鄰設(shè)備故障影響等。

    晶閘管過電流保護(hù)方法最常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動(dòng)作太慢,在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞;所以不能用來保護(hù)晶閘管??焖?/span>熔斷器由銀制熔絲埋于石英沙內(nèi),熔斷時(shí)間極短,可以用來保護(hù)晶閘管??焖?/span>熔斷器的性能主要有以下幾項(xiàng)表征。

  • T589N16TOF
    晶閘管損壞后,若無同型號(hào)的晶閘管更換,可以選用與其性能參數(shù)相近的其他型號(hào)晶閘管來代換。

    應(yīng)用電路在設(shè)計(jì)時(shí),一般均留有較大的裕量。在更換晶閘管時(shí),只要留意其額定峰值電壓(重復(fù)峰值電壓)、額定電流(通態(tài)均勻電流)、門極觸發(fā)電壓和門極觸發(fā)電流即可,尤其是額定峰值電壓與額定電流這兩個(gè)指標(biāo)。

    代換晶閘管應(yīng)與損壞晶閘管開關(guān)速度…致。例如:在脈沖電路、高速逆變電路中使用的高速晶閘管損壞后,只能選用同類型的快速晶閘管,而不能用普通晶閘管來代換。

    選取代用晶閘管時(shí),不管什么參數(shù),都不必留有過大的裕量,應(yīng)盡可能與被代換晶閘管的參數(shù)相近,由于過大的裕量不僅是一種浪費(fèi),而且有時(shí)還會(huì)起副作用,出現(xiàn)不觸發(fā)或觸發(fā)不靈敏等現(xiàn)象。

  • T589N18TOF
    晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。

    晶閘管的工作條件:

    1. 晶閘管承受反向陽極電壓時(shí),不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。

    2. 晶閘管承受正向陽極電壓時(shí),僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。

    3. 晶閘管在導(dǎo)通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,晶閘管保持導(dǎo)通,即晶閘管導(dǎo)通后,門極失去作用。

    4. 晶閘管在導(dǎo)通情況下,當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí),晶閘管關(guān)斷。

  • T690N
    一、過流保護(hù)措施

    快速熔斷器:電路中加快速熔斷器。

    過流繼電器:在輸出端串接直流過電流繼電器

    過流截止電路:利用電流反饋減小普通晶閘管的 導(dǎo)通角或停止觸發(fā),從而切斷過流電路。

    二、過壓保護(hù)

    阻容吸收:利用電容吸收過壓。即將過電壓的能量變成電場(chǎng)能量?jī)?chǔ)存到電容中,然后由電阻消耗掉。

    硒整流堆:硒堆為非線性元件,過壓后迅速擊穿,其電阻減小,抑制過壓沖擊。高電壓過后,硒堆可恢復(fù)到擊穿前的狀態(tài)。

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