全部產(chǎn)品
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產(chǎn)品主要應(yīng)用在：變頻器、逆變焊機(jī)、高頻感應(yīng)加熱、UPS電源、逆變電源、商用電磁爐等領(lǐng)域。
產(chǎn)品主要應(yīng)用在：變頻器、逆變焊機(jī)、高頻感應(yīng)加熱、UPS電源、逆變電源、商用電磁爐等領(lǐng)域。
產(chǎn)品主要應(yīng)用在：變頻器、逆變焊機(jī)、高頻感應(yīng)加熱、UPS電源、逆變電源、商用電磁爐等領(lǐng)域。
IGBT 在開通過(guò)程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來(lái)運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds 下降過(guò)程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。td(on) 為開通延遲時(shí)間，tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1 和tfe2 組成。IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，必須基于以下的參數(shù)來(lái)進(jìn)行:器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。
一種對(duì)工作頻率有明確標(biāo)定的快速晶閘管則稱為高頻晶閘管(中國(guó)型號(hào)為KG)。例如KG50(20kHz),表示該高頻管的標(biāo)稱工作頻率為20kHz，通態(tài)平均電流為50A(20kHz下正弦半波平均電流值)。80年代中期,中國(guó)已能生產(chǎn)KG100(20kHz)和KG200(10kHz)，耐壓為1~1.2kV的高頻晶閘管。快速晶閘管采取的特殊措施，在一定程度上降低了靜態(tài)特性(如升高了通態(tài)壓降)，故限制了它直接工作于更高頻率的大功率電子設(shè)備。為滿足更高頻率下工作對(duì)晶閘管提出的特殊要求，開發(fā)了門極輔助關(guān)斷晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等。
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