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全部產(chǎn)品

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     1.元素半導(dǎo)體

    有鍺、硅、硒、硼、碲、銻等。50 年代,鍺在半導(dǎo) 體中占主導(dǎo)地位,但 鍺半導(dǎo)體器件的耐高溫和抗輻射性能較差,到 60 年代后期逐漸 被硅材料取代。用硅制造的半導(dǎo)體器件,耐高溫和抗輻射性能較好,特別適宜制作大 功率器件。因此,硅已成為應(yīng)用最多的一種增導(dǎo)體材料,目前的集成電路大多數(shù)是用 硅材料制造的。

    2.化合物半導(dǎo)體

    由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導(dǎo)體材料。它 的種類很多,重要的有砷化鎵、磷化錮、銻化錮、碳化硅、硫化鎘及鎵砷硅等。其中 砷化鎵是制造微波器件和集成電的重要材料。碳化硅由于其抗輻射能力強(qiáng)、耐高溫和 化學(xué)穩(wěn)定性好,在航天技術(shù)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

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     不同的半導(dǎo)體器件對(duì)半導(dǎo)體材料有不同的形態(tài)要求,包括單晶的切片、磨 片、拋光片、薄膜等。半導(dǎo)體材料的不同形態(tài)要求對(duì)應(yīng)不同的加工工藝。常用的半導(dǎo) 體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長(zhǎng)。

    所有的半導(dǎo)體材料都需要對(duì)原料進(jìn)行提純,要求的純度在 6 個(gè)“9”以上 ,最高達(dá) 11 個(gè)“9”以上。提純的方法分兩大類,一類是不改變材料的化學(xué)組成進(jìn)行提純,稱為 物理提純; 另一類是把元素先變成化合物進(jìn)行提純, 再將提純后的化合物還原成元素, 稱為化學(xué)提純。物理提純的方法有真空蒸發(fā)、區(qū)域精制、拉晶提純等,使用最多的是 區(qū)域精制?;瘜W(xué)提純的主要方法有電解、絡(luò)合、萃取、精餾等,使用最多的是精餾。 由于每一種方法都有一定的局限性,因此常使用幾種提純方法相結(jié)合的工藝流程以獲 得合格的材料。

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    絕大多數(shù)半導(dǎo)體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的 半導(dǎo)體單晶都是用熔體生長(zhǎng)法制成的。直拉法應(yīng)用最廣,80%的硅單晶、大部分鍺單 晶和銻化銦單晶是用此法生產(chǎn)的,其中硅單晶的最大直徑已達(dá) 300 毫米。在熔體中 通入磁場(chǎng)的直拉法稱為磁控拉晶法,用此法已生產(chǎn)出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表 面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法,用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大 的單晶。懸浮區(qū)熔法的熔體不與容器接觸,用此法生長(zhǎng)高純硅單晶。水平區(qū)熔法用以 生產(chǎn)鍺單晶。水平定向結(jié)晶法主要用于制備砷化鎵單晶,而垂直定向結(jié)晶法用于制備 碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產(chǎn)的體單晶再經(jīng)過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、 磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測(cè)、封裝等全部或部分工序以提供相應(yīng)的晶片
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    硅在當(dāng)前的應(yīng)用相當(dāng)廣泛,他不僅是半導(dǎo)體集成電路,半導(dǎo)體器件和硅太陽能電池的基礎(chǔ)材料,而且用半導(dǎo)體制作的電子器件和產(chǎn)品已經(jīng)大范圍的進(jìn)入到人們的生活,人們的家用電器中所用到的電子器件80%以上與案件都離不開硅材料。鍺是稀有元素,地殼中的含量較少,由于鍺的特有性質(zhì),使得它的應(yīng)用主要集中與制作各種二極管三極管等。而以鍺制作的其他錢江如探測(cè)器,也具有著許多的優(yōu)點(diǎn),廣泛的應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。有機(jī)半導(dǎo)體材料具有熱激活電導(dǎo)率,如萘蒽,聚丙烯和聚二乙烯苯以及堿金屬和蒽的絡(luò)合物,有機(jī)半導(dǎo)體材料可分為有機(jī)物,聚合物和給體受體絡(luò)合物三類。有機(jī)半導(dǎo)體芯片等產(chǎn)品的生產(chǎn)能力差,但是擁有加工處理方便,結(jié)實(shí)耐用,成本低廉,耐磨耐用等特性。
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    非晶半導(dǎo)體按鍵合力的性質(zhì)分為共價(jià)鍵非晶半導(dǎo)體和離子鍵非晶半導(dǎo)體兩類,可用液相快冷方法和真空蒸汽或?yàn)R射的方法制備。在工業(yè)上,非晶半導(dǎo)體材料主要用于制備像傳感器,太陽能鋰電池薄膜晶體管等非晶體半導(dǎo)體器件。

    化合物半導(dǎo)體材料種類繁多,按元素在周期表族來分類,分為三五族,二六族,四四族等。如今化合物半導(dǎo)體材料已經(jīng)在太陽能電池,光電器件,超高速器件,微波等領(lǐng)域占據(jù)重要位置,且不同種類具有不同的應(yīng)用??傊?/span>半導(dǎo)體材料的發(fā)展迅速,應(yīng)用廣泛,隨著時(shí)間的推移和技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料的應(yīng)用將更加重要和關(guān)鍵,半導(dǎo)體技術(shù)和半導(dǎo)體材料的發(fā)展也將走向更高端的市場(chǎng)。

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