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全部產(chǎn)品

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6MBI15S-120

眾所周知，IGBT是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現(xiàn)意外就會(huì)使它損壞。為此，必須對(duì)IGBT進(jìn)行相關(guān)保護(hù)。一般我們從過流、過壓、過熱三方面進(jìn)行IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)。IGBT的過流保護(hù)可分為兩種情況:(1)驅(qū)動(dòng)電路中無保護(hù)功能;(2)驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)有保護(hù)功能。對(duì)于第一種情況，我們可以在主電路中要設(shè)置過流檢測(cè)器件;針對(duì)第二種情況，由于不同型號(hào)的混合驅(qū)動(dòng)模塊，其輸出能力、開關(guān)速度與du/dt的承受能力不同，使用時(shí)要根據(jù)實(shí)際情況恰當(dāng)選用。對(duì)于大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護(hù)則可以通過封鎖驅(qū)動(dòng)信號(hào)或者減小柵壓來進(jìn)行保護(hù)。
6MBI25S-120

1、IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT雙極型三極管和MOS絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大。MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。
2、IGBT綜合了兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
6MBI35S-120

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時(shí)，IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)， Id 與Ugs呈線性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。
2MBI300U2B-060

產(chǎn)品主要應(yīng)用在：變頻器、逆變焊機(jī)、高頻感應(yīng)加熱、UPS電源、逆變電源、商用電磁爐等領(lǐng)域。
2MBI75U4A-120

產(chǎn)品主要應(yīng)用在：變頻器、逆變焊機(jī)、高頻感應(yīng)加熱、UPS電源、逆變電源、商用電磁爐等領(lǐng)域。