熟妇人妻va精品中文字幕,精品少妇人妻av一区二区三区

全部產(chǎn)品

當(dāng)前位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 全部產(chǎn)品

SKKT500-16E

三極管的腳位判斷，三極管的腳位有兩種封裝排列形式，如右圖:三極管是一種結(jié)型電阻器件，它的三個(gè)引腳都有明顯的電阻數(shù)據(jù)，測(cè)試時(shí)(以數(shù)字萬用表為例，紅筆+，黑筆-)我們將測(cè)試檔位切換至二極管檔 (蜂鳴檔)標(biāo)志符號(hào)如右圖:正常的NPN結(jié)構(gòu)三極管的基極(B)對(duì)集電極(C)、發(fā)射極(E)的正向電阻是430Ω-680Ω(根據(jù)型號(hào)的不同，放大倍數(shù)的差異，這個(gè)值有所不同)反向電阻無窮大;正常的PNP 結(jié)構(gòu)的三極管的基極(B)對(duì)集電極(C)、發(fā)射極(E)的反向電阻是430Ω-680Ω，正向電阻無窮大。集電極C對(duì)發(fā)射極E在不加偏流的情況下，電阻為無窮大?；鶚O對(duì)集電極的測(cè)試電阻約等于基極對(duì)發(fā)射極的測(cè)試電阻，通常情況下，基極對(duì)集電極的測(cè)試電阻要比基極對(duì)發(fā)射極的測(cè)試電阻小5-100Ω左右(大功率管比較明顯)，如果超出這個(gè)值，這個(gè)元件的性能已經(jīng)變壞，請(qǐng)不要再使用。
SEMiX302GB066HDs

雙極型晶體管是一種電流控制器件，電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電。同場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管開關(guān)速度慢，輸入阻抗小，功耗大。雙極型晶體管體積小、重量輕、耗電少、壽命長(zhǎng)、可靠性高，已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)、自控裝置、電子儀器、家用電器等領(lǐng)域，起放大、振蕩、開關(guān)等作用。晶體管:用不同的摻雜方式在同一個(gè)硅片上制造出三個(gè)摻雜區(qū)域，并形成兩個(gè)PN結(jié)，就構(gòu)成了晶體管.。輸入特性曲線:描述了在管壓降UCE一定的情況下，基極電流iB與發(fā)射結(jié)壓降uBE之間的關(guān)系稱為輸入伏安特性，可表示為: 硅管的開啟電壓約為0.7V，鍺管的開啟電壓約為0.3V。
SEMiX305GARL07E3

IC受IB的控制，與UCE的大小幾乎無關(guān)。因此三極管是一個(gè)受電流IB控制的電流源。
特性曲線平坦部分之間的間隔大小，反映基極電流IB對(duì)集電極電流IC控制能力的大小，間隔越大表示管子電流放大系數(shù)b越大。伏安特性最低的那條線為IB=0，表示基極開路，IC很小，此時(shí)的IC就是穿透電流ICEO。在放大區(qū)電流電壓關(guān)系為:UCE=EC-ICRC, IC=βIB在放大區(qū)管子可等效為一個(gè)可變直流電阻。極間反向電流:是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)的結(jié)果。集電極-基極反向飽和電流ICBO :是集電結(jié)的反向電流。集電極-發(fā)射極反向飽和電流ICEO :它是穿透電流。
SEMiX604GB12E4s

一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極(即發(fā)射極E)。P+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成)，稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector)，它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極(即集電極C)。
SEMIX604GB12T4S

這是共發(fā)射極組態(tài)的擊穿電壓，即基極開路時(shí)、集電極與發(fā)射極之間的擊穿電壓。由于在基極開路時(shí)，集電結(jié)是反偏、發(fā)射結(jié)是正偏的，即BJT處于放大狀態(tài)。溫度對(duì)的影響: 是集電結(jié)加反向電壓時(shí)平衡少子的漂移運(yùn)動(dòng)形成的，當(dāng)溫度升高時(shí)，熱運(yùn)動(dòng)加劇，更多的價(jià)電子有足夠的能量掙脫共價(jià)鍵的束縛，從而使少子的濃度明顯增大，增大。溫度每升高10 時(shí)，增加約一倍。硅管的比鍺管的小得多，硅管比鍺管受溫度的影響要小。溫度對(duì)輸入特性的影響:溫度升高，正向特性將左移。溫度對(duì)輸出特性的影響:溫度升高時(shí) 增大。光電三極管:依據(jù)光照的強(qiáng)度來控制集電極電流的大小。