全部產(chǎn)品
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JFET導(dǎo)電的溝道在體內(nèi)。耗盡型和增強型這兩種晶體管在工藝和結(jié)構(gòu)上的差別主要在于其溝道區(qū)的摻雜濃度和厚度。D-JFET的溝道的摻雜濃度較高、厚度較大，以致于柵pn結(jié)的內(nèi)建電壓不能把溝道完全耗盡;而E-JFET的溝道的摻雜濃度較低、厚度較小，則柵pn結(jié)的內(nèi)建電壓即可把溝道完全耗盡。但是，對于短溝道E-JFET，情況則有所不同，因為這種晶體管的漏極電壓可以作用到源極附近，使得溝道中的勢壘降低，所以能夠形成導(dǎo)電溝道。這種E-JFET從本質(zhì)上來說也就是靜電感應(yīng)晶體管。
對于耗盡型的JFET，在平衡時(不加電壓)時，溝道電阻最小;電壓Vds和Vgs都可改變柵p-n結(jié)勢壘的寬度，并因此改變溝道的長度和厚度(柵極電壓使溝道厚度均勻變化，源漏電壓使溝道厚度不均勻變化)，使溝道電阻變化，從而導(dǎo)致Ids變化，以實現(xiàn)對輸入信號的放大。當(dāng)Vds較低時，JFET的溝道呈現(xiàn)為電阻特性，是所謂電阻工作區(qū)，這時漏極電流基本上隨著電壓Vds的增大而線性上升，但漏極電流隨著柵極電壓Vgs的增大而平方式增大;進一步增大Vds時，溝道即首先在漏極一端被夾斷，則漏極電流達到最大而飽和(飽和電流搜大小決定于沒有被夾斷的溝道的電阻)，這就是JFET的飽和放大區(qū)，這時JFET呈現(xiàn)為一個恒流源。
JFET的特點是:①是電壓控制器件，則不需要大的信號功率。②是多數(shù)載流子導(dǎo)電的器件，是所謂單極晶體管，則無少子存儲與擴散問題，速度高，噪音系數(shù)低;而且漏極電流Ids的溫度關(guān)系決定于載流子遷移率的溫度關(guān)系，則電流具有負的溫度系數(shù)，器件具有自我保護的功能。③輸入端是反偏的p-n結(jié), 則輸入阻抗大, 便于匹配。④輸出阻抗也很大, 呈現(xiàn)為恒流源，這與BJT大致相同。⑤JFET一般是耗盡型的，但若采用高阻襯底, 也可得到增強型JFET(增強型JFET在高速、低功耗電路中很有應(yīng)用價值);但是一般只有短溝道的JFET才是能很好工作的增強型器件。
通態(tài)特性:大注入下基區(qū)和集電區(qū)發(fā)生調(diào)制效應(yīng)，通態(tài)壓降很低開關(guān)特性:關(guān)斷過程中的電流集中現(xiàn)象:由于基區(qū)存在自偏壓效應(yīng)，在晶體管關(guān)斷過程中使發(fā)射極邊緣部分反偏，邊緣關(guān)斷而中心仍導(dǎo)通，于是出現(xiàn)電流集中現(xiàn)象，二次擊穿特性，和所有繼電器一樣。值得說明的是當(dāng)?shù)谝淮窝┍罁舸┖?，加在BJT上的能力超過臨界值才產(chǎn)生二次擊穿，也就是說二次擊穿需要能量。作為放大器，應(yīng)用在電源串聯(lián)調(diào)壓電路，音頻和超聲波放大等領(lǐng)域。作為大功率半導(dǎo)體開關(guān)，電視機行輸出電路，電機控制，不停電電源和汽車電子、GTR模塊，應(yīng)用于交流傳動，逆變器和開關(guān)電源。
晶體管按其結(jié)構(gòu)分為NPN型和PNP型兩類。晶體管結(jié)構(gòu)與符號如圖所示。它們都有三個區(qū)：集電區(qū)、基區(qū)、發(fā)射區(qū)；從這三個區(qū)引出的電極分別稱為集電極c(Collector)、基極b(Base)和發(fā)射極e(Emitter)。兩個PN結(jié)：發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)Je，基區(qū)與集電區(qū)之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)Je。兩種管子的電路符號的發(fā)射極箭頭方向不同，箭頭方向表示發(fā)射結(jié)正偏時發(fā)射極電流的實際方向。應(yīng)當(dāng)指出，晶體管絕不是兩個PN結(jié)的簡單連接。它采用了以下制造工藝：基區(qū)很薄且摻雜濃度低，發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，集電結(jié)面積比發(fā)射結(jié)的面積大等。這些都是為了保證晶體管具有較好的電流放大作用。由于晶體管在結(jié)構(gòu)上有這些特點，所以不能用兩個二極管背向連接來說明晶體管的作用，在使用時發(fā)射極和集電極一般不能互換。
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