全部產(chǎn)品
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UL認(rèn)證要求熱敏電阻產(chǎn)品在失去PTC特性前能保持1000小時(shí)的斷路狀態(tài)。在低于產(chǎn)品最高額定電壓和電流的情況下可保持更長(zhǎng)時(shí)間的斷路狀態(tài)。長(zhǎng)時(shí)間處于斷路狀態(tài)可能會(huì)導(dǎo)致熱敏電阻在復(fù)位后不能回復(fù)其初始電阻值和其它一些初始特性。每個(gè)熱敏電阻的回復(fù)程度主要取決于故障條件和產(chǎn)品規(guī)格。這取決于所使用的產(chǎn)品規(guī)格。如果知道該種規(guī)格熱敏電阻的電阻值和穩(wěn)定工作狀態(tài)下通過的電流，電壓降一般是可以計(jì)算的。典型的電壓降數(shù)值可由Rmax值求出，如果沒有Rmax值，該電壓降值為Rmin和Rl的平均值。若用Iop表示正常工作電流，Rp表示高分子PTC熱敏電阻的電阻，則電路的電壓降Vdrop可由公式:Vdrop=Iop×Rp求出。
由軸對(duì)稱的引線(Lead)、在規(guī)定溫度下可熔化的易熔合金(fusible alloy)及為防止其熔化氧化的特殊混合物(special compound)和絕緣瓷管(ceramic insulator)構(gòu)成。周圍溫度上升時(shí)特定的樹脂混合物開始液化， 當(dāng)達(dá)到熔點(diǎn)時(shí)在樹脂混合物的幫助下(增大已熔化合金的表面張力)，已熔化合金在表面張力的作用下迅速以兩端引線為中心收縮成球狀，從而永久切斷回路。由軸對(duì)稱的引線(Lead)、在規(guī)定溫度下可熔化的易熔合金(fusible alloy)及為防止其熔化氧化的特殊混合物(special compound)和絕緣瓷管(ceramic insulator)構(gòu)成。
MEO 450-12DA
半導(dǎo)體中的雜質(zhì)對(duì)電阻率的影響非常大。半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)時(shí)，雜質(zhì)原子附近的周期勢(shì)場(chǎng)受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產(chǎn)加的雜質(zhì)能級(jí)。例如四價(jià)元素鍺或硅晶體中摻入五價(jià)元素磷、砷、銻等雜質(zhì)原子時(shí)，雜質(zhì)原子作為晶格的一分子，其五個(gè)價(jià)電子中有四個(gè)與周圍的鍺（或硅）原子形成共價(jià)結(jié)合，多余的一個(gè)電子被束縛于雜質(zhì)原子附近，產(chǎn)生類氫能級(jí)。雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶上方靠近導(dǎo)帶底附近。雜質(zhì)能級(jí)上的電子很易激發(fā)到導(dǎo)帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質(zhì)稱為施主，相應(yīng)能級(jí)稱為施主能級(jí)。
摻雜之后的半導(dǎo)體能帶會(huì)有所改變。依照摻雜物的不同，本質(zhì)半導(dǎo)體的能隙之間會(huì)出現(xiàn)不同的能階。施主原子會(huì)在靠近傳導(dǎo)帶的地方產(chǎn)生一個(gè)新的能階，而受主原子則是在靠近價(jià)帶的地方產(chǎn)生新的能階。假設(shè)摻雜硼原子進(jìn)入硅，則因?yàn)榕鸬哪茈A到硅的價(jià)帶之間僅有0.045電子伏特，遠(yuǎn)小于硅本身的能隙1.12電子伏特，所以在室溫下就可以使摻雜到硅里的硼原子完全解離化（ionize）。摻雜物對(duì)于能帶結(jié)構(gòu)的另一個(gè)重大影響是改變了費(fèi)米能階的位置。在熱平衡的狀態(tài)下費(fèi)米能階依然會(huì)保持定值，這個(gè)特性會(huì)引出很多其他有用的電特性。舉例來說，一個(gè)p-n接面（p-n junction）的能帶會(huì)彎折，起因是原本p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的費(fèi)米能階位置各不相同，但是形成p-n接面后其費(fèi)米能階必須保持在同樣的高度，造成無論是p型或是n型半導(dǎo)體的傳導(dǎo)帶或價(jià)帶都會(huì)被彎曲以配合接面處的能帶差異。
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