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全部產(chǎn)品

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它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯后于電壓，出現(xiàn)延遲時間，若適當?shù)乜刂贫稍綍r間，那么，在電流和電壓關系上就會出現(xiàn)負阻效應，從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應用于微波領域的振蕩電路中。它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區(qū)的N型區(qū)是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態(tài)半導體的量子力學效應所產(chǎn)生。發(fā)生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡并半導體P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比（IP/PV），其中，下標"P"代表"峰"；而下標"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。
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橋式整流電路的工作原理如下:E2為正半周時，對D1、D3加正向電壓，D1、D3導通;對D2、D4加反向電壓，D2、D4截止。電路中構成E2、D1、Rfz 、D3通電回路，在Rfz 上形成上正下負的半波整流電壓，E2為負半周時，對D2、D4加正向電壓，D2、D4導通;對D1、D3加反向電壓，D1、D3截止。電路中構成E2、D2、Rfz 、D4通電回路，同樣在Rfz 上形成上正下負的另外半波的整流電壓。如此重復下去，結果在Rfz 上便得到全波整流電壓。其波形圖和全波整流波形圖是一樣的。從圖中還不難看出，橋式電路中每只二極管承受的反向電壓等于變壓器次級電壓的最大值，比全波整流電路小一半。橋式整流是對二極管半波整流的一種改進。半波整流利用二極管單向導通特性，在輸入為標準正弦波的情況下，輸出獲得正弦波的正半部分，負半部分則損失掉。
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橋式整流器利用四個二極管，兩兩對接。輸入正弦波的正半部分是兩只管導通，得到正的輸出;輸入正弦波的負半部分時，另兩只管導通，由于這兩只管是反接的，所以輸出還是得到正弦波的正半部分。橋式整流器對輸入正弦波的利用效率比半波整流高一倍。橋式整流是交流電轉換成直流電的第一個步驟。
橋式整流器是由多只整流二極管作橋式連接，外用絕緣塑料封裝而成，大功率橋式整流器在絕緣層外添加金屬殼包封，增強散熱。橋式整流器品種多，性能優(yōu)良，整流效率高，穩(wěn)定性好，最大整流電流從0.5A到50A，最高反向峰值電壓從50V到1000V。
需要特別指出的是,二極管作為整流元件,要根據(jù)不同的整流方式和負載大小加以選擇。如選擇不當,則或者不能安全工作,甚至燒了管子;或者大材小用,造成浪費。
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在整流橋的每個工作周期內，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋(如:RECTRON SEMICONDUCTOR的RS2501M)進行解剖會發(fā)現(xiàn)，其內部的結構如圖2所示，該全波整流橋采用塑料封裝結構(大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式)。橋內的四個主要發(fā)熱元器件--二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板，他們分別與輸入引腳(交流輸入導線)相連，形成我們在外觀上看見的有四個對外連接引腳的全波整流橋。由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結構，在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導線的周圍充滿了作為絕緣、導熱的骨架填充物質--環(huán)氧樹脂。然而，環(huán)氧樹脂的導熱系數(shù)是比較低的(一般為0.35℃W/m，最高為2.5℃W/m)，因此整流橋的結--殼熱阻一般都比較大(通常為1.0~10℃/W)。通常情況下，在元器件的相關參數(shù)表里，生產(chǎn)廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結-環(huán)境的熱阻(Rja)和當元器件自帶一散熱器，通過散熱器進行器件冷卻的結--殼熱阻(Rjc)。
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在整流橋內部，四個二極管是分成兩組且每組共用一個引腳銅板，因此整流橋通過引腳散熱的熱阻為這兩個引腳的并聯(lián)熱阻:一方面由于PCB板的熱容比較大，另一方面冷卻風與PCB板的接觸面積較大，其換熱條件較好，假設其PCB板的實際有效散熱面積為整流橋表面積的2倍，則PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻為:
故，通過整流橋引腳這條傳熱途徑的熱阻為:
比較上述兩種傳熱途徑的熱阻可知:整流橋通過殼體表面自然對流冷卻進行散熱的熱阻( )是通過引腳進行散熱這種散熱途徑的熱阻( )的1.5倍。于是我們可以得出如下結論:在自然冷卻的情況下，整流橋的散熱主要是通過其引腳線(輸出引腳正負極)與PCB板的焊盤來進行的。因此，在整流橋的損耗不大，并用自然冷卻方式進行散熱時，我們可以通過增加與整流橋焊接的PCB表面的銅覆蓋面積來改善其整流橋的散熱狀況。同時，我們可以根據(jù)上述的兩條傳熱途徑得到整流橋內二極管結溫到周圍環(huán)境間的總熱阻，即:
其實這個熱阻也就是生產(chǎn)廠家在整流橋等元器件參數(shù)表中的所提供的結-環(huán)境的熱阻。并且在自然冷卻的情況，也只有該熱阻具有實在的參考價值，其它的諸如Rjc也沒有實在的計算依據(jù)，這一點可以通過在強迫風冷情況下的傳熱路徑的分析得出。