SEMIKRON
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SEMIX604GB12T4S
產(chǎn)品描述:
產(chǎn)品型號 | 參數(shù)說明 | 下載 |
SEMIX604GB12T4S |
604A/1200V |
/Attachment/20200611/19129717.pdf |
IGBT驅(qū)動電路中的電阻RG對工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會增加IGBT的開關(guān)時間和開關(guān)損耗;RG較小,會引起電流上升率增大,使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐~幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。
驅(qū)動電路應(yīng)具有較強的抗干擾能力及對IG2BT的保護功能。IGBT的控制、 驅(qū)動及保護電路等應(yīng)與其高速開關(guān)特性相匹配,另外,在未采取適當?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開路。
SKM450GB12T4SKMD150F12
SKN 45-08
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