富士IGBT
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6RI100E-080
產(chǎn)品描述:
CR6L-200G-UL
富士CR6L-150
2MBI200U4H-120-50
產(chǎn)品型號 | 參數(shù)說明 | 下載 |
6RI100E-080 |
100A/800V |
/Attachment/20200611/52646263.pdf |
1、消除柵極振蕩
絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射(或柵源)極之間是容性結(jié)構(gòu),柵極回路的寄生電感又是不可避免的,如果沒有柵極電阻,那柵極回路在驅(qū)動器驅(qū)動脈沖的激勵下要產(chǎn)生很強的振蕩,因此必須串聯(lián)一個電阻加以迅速衰減。
2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動器的功率損耗
電容電感都是無功元件,如果沒有柵極電阻,驅(qū)動功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動器內(nèi)部的輸出管上,使其溫度上升很多。
3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度
柵極電阻小,開關(guān)器件通斷快,開關(guān)損耗小;反之則慢,同時開關(guān)損耗大。但驅(qū)動速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率大大提高,從而產(chǎn)生較大的干擾,嚴重的將使整個裝置無法工作,因此必須統(tǒng)籌兼顧。
7MBR75VM120-50CR6L-200G-UL
富士CR6L-150
2MBI200U4H-120-50
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