富士IGBT
產(chǎn)品型號(hào) | 參數(shù)說(shuō)明 | 下載 |
FUJI-7MBR50VA060-50 |
60A/500V |
/Attachment/20200611/34249568.pdf |
超過(guò)熱極限:半導(dǎo)體的本征溫度極限為250℃,當(dāng)結(jié)溫超過(guò)本征溫度,器件將喪失阻斷能力,IGBT負(fù)載短路時(shí),由于短路電流時(shí)結(jié)溫升 高,一旦超過(guò)其熱極限時(shí),門級(jí)保護(hù)也相應(yīng)失效。
電流擎住效應(yīng):正常工作電流下,IGBT由于薄層電阻Rs很小,沒(méi)有電流擎住現(xiàn)象,但在短路狀態(tài)下,由于短路電流很大,當(dāng)Rs上的壓降 高于0.7V時(shí),使J1正偏,產(chǎn)生電流擎住,門級(jí)便失去電壓控制。
關(guān)斷過(guò)電壓:為了抑制短路電流,當(dāng)故障發(fā)生時(shí),控制電路立即撤去正門級(jí)電壓,將IGBT關(guān)斷,短路電流相應(yīng)下降。由于短路電流大, 因此,關(guān)斷中電流下降率很高,在布線電感中將感生很高的電壓,尤其是在器件內(nèi)封裝引線電感上的這種感應(yīng)電壓很難抑制,它將使器件有過(guò)電流變?yōu)殛P(guān)斷過(guò)電壓而 失效。
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2A8H MG50Q6ES51
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