富士IGBT
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3MBI150SX-120-02
產(chǎn)品描述:
IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個(gè)P結(jié),即NPNP結(jié)構(gòu),在原理上是MOS推動(dòng)的P型BJT;
產(chǎn)品型號(hào) | 參數(shù)說明 | 下載 |
3MBI150SX-120-02 |
120A/200V |
/Attachment/20200611/71759458.pdf |
IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個(gè)P結(jié),即NPNP結(jié)構(gòu),在原理上是MOS推動(dòng)的P型BJT;
多的這個(gè)P層因內(nèi)有載流子,有電導(dǎo)調(diào)制作用,可以使IGBT在跟高電壓和電流下,有很低的壓降,因此IGBT可以做到很高電壓(目前最大6500V),但由于載流子存在,IGBT關(guān)斷是電流會(huì)拖尾,關(guān)斷速度會(huì)減低;
MOS管就是MOSFET的簡(jiǎn)稱了;
IGBT和MOS管是全控器件,是電壓型驅(qū)動(dòng),即通過控制柵極電壓來開通或關(guān)斷器件;可控硅是半控器件,電流型驅(qū)動(dòng),即給柵極通一定的電流,可以是可控硅開通,但是一旦開通,就不受柵極控制,將柵極的電壓電流信號(hào)去除,仍然保持開通,只用流過可控硅AK的電流減小,或可控硅兩端加反壓,才能關(guān)斷;
IGBT和MOS管頻率可以做到幾十上百KHz,但可控硅一般在1KHz以內(nèi)。
5H6K MG35Q6ES50
5K2L MG25Q6ES51A
5M3C MG25Q6ES50
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